[發明專利]磁記錄介質的制造方法、磁記錄介質、以及磁記錄和再現裝置

有效

• 申請號: 200680007908.9
• 申請日: 2006-03-16
• 公開（公告）號: CN101138025A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 岡正裕
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/72;G11B5/64
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;李崢

相關申請的交叉引用

請求享有2005年3月17日提交的日本專利申請2005-077916的優先權。該申請為按照35U.S.C.§111(a)提交的申請，其根據35U.S.C.§119(e)享有根據35U.S.C.§111(b)在2005年3月28日提交的臨時申請60/665371的申請日。

技術領域

本發明涉及一種磁記錄介質、該介質的制造方法、以及采用該磁記錄介質的磁記錄和再現裝置。

背景技術

垂直磁記錄方法為采用其中易磁化軸與基底垂直的磁記錄層的方法。和縱向磁記錄方法相比，在垂直磁記錄中在作為記錄位之間邊界的磁過渡區域附近的退磁磁場減弱，從而記錄密度越高記錄狀態越靜磁穩定，而改進了抗熱波動性；因此該方法適合于提高面密度。

特別是，當由軟磁性材料構成的軟磁性襯層設置在基底和垂直磁記錄層之間時，可獲得所謂垂直雙層介質的功能以及良好的記錄特性。此時，軟磁性襯層用于提供從磁頭開始的記錄磁場返回路徑，并改進記錄和再現效率。

在垂直磁記錄介質中，通常在基底上形成軟磁性襯層、襯層、垂直磁記錄層和保護層。

Co-Cr體系合金廣泛用作垂直磁記錄材料。當采用Co-Cr體系合金時，通常在膜沉積期間的基底加熱造成磁記錄層內的磁性相和非磁性相的分離。

通過等離子體CVD方法形成的碳保護層廣泛用作保護層。

近年來，包括Co合金(例如Co-Cr-Pt)和SiO₂或者其它氧化物的氧化物磁性材料逐漸用作垂直磁記錄層材料。

在氧化物磁性材料中，將氧化物的非磁性相離析為圍繞Co合金或類似物的磁性相，從而可分離磁性晶體顆粒(磁性相)并使其更細，還可使磁過渡區域更小。因此，可降低介質噪聲(參見非專利文獻1至3)。

非專利文獻1：Oikawa?et?al.“SiO₂?composition?of?CoPtCr-SiO₂/Ruperpendicular?magnetic?recording?media?and?grain?isolation”，Journal?ofthe?Applied?Magnetic?Society?Japan，29，231-234(2005)。

非專利文獻2：Matsunuma?et?al.“CoCrPt?alloy-oxide?perpendicularmagnetic?recording?media?with?a?new?structure?incorporating?anintermediate?layer”，Technical?Report?of?the?Institute?of?Electronic，Information?and?Communication?Engineers，MR2004-10。

非專利文獻3：Ohtsuki?and?Uwazumi“Development?of?perpendicularmagnetic?recording?media?for?an?HDD?aiming?at?400Gbits/inch²”，NikkeiElectronics，January19，2004。

發明內容

但是，在通過現有技術制造方法所獲得的磁記錄介質中，碳保護層分離。而且，潤滑層在碳保護層表面上的粘附較差，并且經過長時間使用一部分潤滑層粘至磁頭滑塊。

根據上述情況設計本發明，其一個目標在于提供磁記錄介質制造方法、磁記錄介質、以及磁記錄和再現裝置，當在垂直磁記錄層中采用氧化物磁性材料時，以及當通過等離子體CVD方法形成碳保護層時，其可以防止碳保護層的分離以及潤滑材料粘至磁頭，并可使記錄和再現特征符合要求。

為獲得上述目標，本發明采用下述配置。

(1)解決上述問題的第一種發明為一種制造磁記錄介質的方法，在所述介質中，在基底上至少提供垂直磁記錄層和碳保護層，其中所述垂直磁記錄層由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料形成，所述方法包括：垂直磁記錄層形成過程，在所述基底上形成垂直磁記錄層；加熱過程，加熱其上形成有所述垂直磁記錄層的所述基底；以及保護層形成過程，通過等離子體CVD方法在其上形成有所述垂直磁記錄層的所述基底上形成碳保護層。

(2)解決上述問題的第二種發明為制造如上述(1)所述磁記錄介質的方法，其特征在于在所述加熱過程中的加熱溫度高于當在所述保護層形成過程中形成所述碳保護層時的膜沉積溫度。