[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)的制造方法、磁記錄介質(zhì)、以及磁記錄和再現(xiàn)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680007908.9 | 申請日： | 2006-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN101138025A | 公開（公告）日： | 2008-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 岡正裕 | 申請（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/84 | 分類號： | G11B5/84;G11B5/72;G11B5/64 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 | 代理人： | 楊曉光;李崢 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 記錄 介質(zhì) 制造 方法 以及 再現(xiàn) 裝置 | ||
1.一種制造磁記錄介質(zhì)的方法，所述介質(zhì)包括在基底上的垂直磁記錄層和碳保護(hù)層，其中所述垂直磁記錄層由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料形成，所述方法包括：
垂直磁記錄層形成過程，在所述基底上形成垂直磁記錄層；
加熱過程，加熱其上形成有所述垂直磁記錄層的所述基底；以及
保護(hù)層形成過程，通過等離子體CVD方法在其上形成有所述垂直磁記錄層的所述基底上形成碳保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中在所述加熱過程中的加熱溫度高于當(dāng)在所述保護(hù)層形成過程中形成所述碳保護(hù)層時的膜沉積溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中
在所述垂直磁記錄層形成過程中，在形成所述垂直磁記錄層期間的溫度小于80℃，
在所述保護(hù)層形成過程中，在形成所述碳保護(hù)層期間的膜沉積溫度為80℃或者更高。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中
在所述垂直磁記錄層形成過程中，在形成所述垂直磁記錄層期間的溫度小于80℃，
在所述保護(hù)層形成過程中，在形成所述碳保護(hù)層期間的膜沉積溫度為80℃或者更高。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述垂直磁記錄層包括一種結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中由氧化物材料構(gòu)成的非磁性層圍繞由Co合金構(gòu)成的磁性層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的制造磁記錄介質(zhì)的方法，其中所述氧化物材料為SiO2、TiO、TiO2、ZrO2、Cr2O3、CoO、Ta2O5、和Al2O3中的任一種或者兩種或者更多種材料。
7.一種磁記錄介質(zhì)，其通過權(quán)利要求1的制造磁記錄介質(zhì)的方法制造。
8.一種磁記錄和再現(xiàn)裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求7的磁記錄介質(zhì)，和用于向所述磁記錄介質(zhì)記錄信息和從所述磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的磁頭。
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