[發明專利]具有銀覆蓋的電極的LCD器件

無效

• 申請號: 200680007900.2
• 申請日: 2006-03-07
• 公開（公告）號: CN101137933A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 韓熙;河龍浚
• 申請（專利權）人: LG化學株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司
• 代理人: 朱梅;徐志明

技術領域

本發明涉及一種由在銅布線或銅電極的表面上涂敷的銀薄層保護的銅布線或銅電極。更具體而言，本發明涉及一種包括該銅布線或銅電極的液晶顯示器件。如果將銀薄層涂敷在基板上形成的銅布線或銅電極上，所述銀薄層能夠保護銅，從而使銅可對氧化反應或其它不需要的反應具有優異的耐性。因此，可改善所述銅布線或銅電極的性能。

背景技術

當前，大部分液晶顯示(LCD)器件可容易地制造并裝配有反向疊加(inverted-staggered)TFT(薄膜晶體管)，其不需要單獨的用于TFT的遮光層(參見，圖1)。

裝配有反向疊加TFT的LCD器件通常包括由多種組分形成而彼此面對的兩個基板和兩個基板之間注入的液晶。設置在相對較低位置的一個基板由以矩陣形式彼此交叉的柵極總線和數據總線形成。此外，在由柵極總線和數據總線限定的像素區域中設置像素電極，從而使柵極總線通過像素電極與數據總線電連接。即，反向疊加TFT通常包括：在玻璃基板上形成的柵極、在包括柵極的玻璃基

板的整個表面上形成的柵極絕緣層、在柵極上設置的柵極絕緣層上形成的半導體層、在半導體層上形成彼此隔開的源極和漏極以及在源極和漏極與半導體層之間設置的歐姆接觸層。同時，LCD器件包括：具有上述結構的TFT、在包括TFT的基板的整個表面上形成的鈍化層、用于暴露漏極的接觸孔以及通過接觸孔與漏極電連接的像素電極。

圖2a～2d為說明常規LCD器件的制造過程的剖視圖。

通常，如圖2a所示，通過濺射法在玻璃基板110上形成銅層。然后，通過進行如光刻法的圖形化方法選擇性地除去銅層，從而形成多個柵極布線和柵極101。

然后，如圖2b所示，在設置有柵極布線和柵極101的玻璃基板110上形成柵極絕緣層102。在此，柵極絕緣層102由氮化硅SiNx或氧化硅SiOx制成，所述氮化硅SiNx或氧化硅SiOx相對于多晶硅(a-Si)具有優異的界面性質，相對于柵極101具有優異的粘合性質以及更高的介電強度。然后，如圖2c所示，通過使用多晶硅(a-Si)在柵極絕緣層102上形成半導體層103。

此后，為了獲得與源極和漏極的歐姆接觸，在半導體層103上形成歐姆接觸層104，其將通過下述方法形成。此外，如圖2d所示，在包括歐姆接觸層104的玻璃基板的整個表面上形成銅層，并使銅層圖形化，從而形成越過柵極布線的數據布線(data?wiring?line)以及然后形成源極105和漏極106。然后，在包括源極105和漏極106的玻璃基板的整個表面上涂敷鈍化層107后，除去鈍化層107的預定部分，從而形成用于暴露漏極106的接觸孔108。

此外，在玻璃基板的整個表面上沉積透明導電層后，通過使透明導電層圖形化，形成通過接觸孔108與漏極106電連接的像素電極，從而獲得常規LCD器件。

根據具有上述結構的常規LCD器件，電極和布線由銅制成。這種銅布線被認為是代替常規鋁布線的下一代布線，并且已經證明了銅的性能。由于銅的電阻率低于鋁的電阻率，所以銅可降低RC延遲(RCdelay)，使IC能夠快速運行。此外，由于銅具有優異的電遷移電阻，所以銅可防止器件中金屬電路之間的短路。然而，與鋁不同，銅容易被氧化。為此原因，銅電極和銅布線容易被污染，并且具有與在銅電極和銅布線上涂敷的絕緣層反應的趨勢。為了解決上述問題，正積極進行與半導體制造工藝相關的研究，同時該研究集中于在布線過程后將離子注入銅薄層的表面上的離子注入工藝，使用銅合金薄層的方法，以及形成包括銅和其它金屬的層疊結構并熱處理該層疊結構的方法。

同時，根據常規LCD器件，在電極或布線上形成的絕緣層或鈍化層通常由硅化合物制成。通過沉積法在包括電極和布線的基板上形成所述硅化合物。此時，硅化合物SiH₄可與銅反應，從而降低了電極和布線的性能。

具體而言，常規LCD器件包括基板和通過沉積法在基板上形成的多層薄層。例如，通過濺射法在基板上形成金屬層和透明電極，并且通過等離子體增強型化學氣相沉積(PECVD)法在基板上形成硅和絕緣層。