[發明專利]具有銀覆蓋的電極的LCD器件

無效

• 申請號: 200680007900.2
• 申請日: 2006-03-07
• 公開（公告）號: CN101137933A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 韓熙;河龍浚
• 申請（專利權）人: LG化學株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司
• 代理人: 朱梅;徐志明

1.一種制造電極或布線的方法，所述方法包括以下步驟：

在基板的表面上形成銅薄層；

通過使所述銅薄層圖形化而形成電極或布線；以及

在所述電極或布線的表面上形成銀薄層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述形成銀薄層的步驟包括以下子步驟：將形成有電極或布線的基板浸入銀置換溶液中，從而在已形成圖形的銅薄層的表面上形成銀薄層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在所述形成銀薄層的步驟中，使所述銀置換溶液的溫度保持在約18～100℃下。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述銀置換溶液中銀離子的濃度為約1～5M。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述銀置換溶液通過使用包括選自由AgNO₃和KAg(CN)₂組成的組的至少一種銀離子載體而制備。

6.根據權利要求2所述的方法，其中，將所述基板浸入銀置換溶液中10～30秒。

7.一種電極或布線，其通過權利要求1～6中任一項所述的方法制造。

8.一種由銅制成的電極，該電極包括：

在所述電極的表面上形成的銀薄層。

9.根據權利要求8所述的電極，其中，所述銀薄層具有約10～30nm的厚度。

10.一種液晶顯示器件，其包括：

基板；

在基板上形成的柵極；

在包括柵極的基板的整個表面上形成的柵極絕緣層；

在柵極絕緣層上形成的半導體層；

在半導體層上形成以預定距離彼此隔開的源極和漏極；

在源極和漏極與半導體層之間設置的歐姆接觸層；和

與漏極電連接的像素電極，

其中，在所述柵極、源極和漏極的至少之一的表面上形成銀薄層。

11.一種制造液晶顯示器件的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上通過使用銅形成柵極布線和柵極；

在柵極布線和柵極上形成銀薄層；

在銀薄層上形成絕緣層；

在絕緣層的預定區域上形成溝道層；

形成與溝道層的兩側連接的源極和漏極；

在包括源極和漏極的基板的整個表面上形成鈍化層；以及

在鈍化層上形成像素電極以使像素電極與漏極連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述在柵極布線和柵極上形成銀薄層的步驟包括以下子步驟：將形成有柵極布線和柵極的基板浸入銀置換溶液中。

13.一種在制造涂敷有硅絕緣層的銅布線或銅電極時防止在銅布線或銅電極上形成硅化物的方法，該方法包括以下步驟：在銅布線或銅電極上涂敷硅絕緣層之前，在銅布線或銅電極的表面上形成銀薄層。