[發明專利]載臺裝置及曝光裝置有效
| 申請號: | 200680007894.0 | 申請日: | 2006-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN101138070A | 公開(公告)日: | 2008-03-05 |
| 發明(設計)人: | 柴崎祐一 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 雒運樸;李偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 曝光 | ||
技術領域
本發明涉及具備多個載臺的載臺裝置及曝光裝置。
本申請基于2005年8月5日申請的日本專利特愿2005-227666號主張優先權,并在這里引用其內容。
背景技術
在作為半導體元件、液晶顯示元件、拍攝裝置(CCD(Charge?CoupledDevice)等)、薄膜磁頭等器件的制造工序之一的光刻工序中,為了將作為掩模的母版的圖案經由投影光學系統轉印到作為襯底的涂布了光刻膠的晶片(或玻璃板等)上,而使用曝光裝置。作為該曝光裝置,使用步進曝光裝置(stepper)等成批曝光型(靜止曝光型)的投影曝光裝置、或掃描步進曝光裝置等掃描曝光型的投影曝光裝置(掃描型曝光裝置)等。
近年來,實現了為了提高析像度,而在投影光學系統與晶片之間充滿折射率高于氣體的液體來增大投影光學系統的數值孔徑以提高析像度的浸液式的曝光裝置。以下的專利文獻1中公開有如下的技術,即,在這種曝光裝置中,設置被設定于與晶片的高度位置相同的高度位置上的平面板,在晶片的更換時,通過一邊使晶片從投影光學系統的正下方退避,一邊將平面板向投影光學系統的正下方移動,而將投影光學系統與晶片之間的液體暫時轉移到平面板上,在更換結束后,通過一邊使位于投影光學系統的正下方的平面板退避,一邊將新的晶片配置于投影光學系統的正下方,就可以在投影光學系統與新的晶片之間充滿液體。
專利文獻1:日本專利特開2005-19864號公報
然而,在如將投影光學系統與晶片之間的液體暫時轉移到上述的專利文獻1中公開的平面板上,或者將轉移到平面板上的液體再次轉移到晶片上時那樣,在兩個構件之間轉移液體之時,一旦在這些構件之間產生規定的寬度以上的間隙,則會有可能泄漏液體。一旦液體泄漏,則會浸入到載臺內而出現生銹等情況,使得襯底載臺的性能惡化。另外,載臺的溫度會因液體的氣化熱而變動,從而有可能導致曝光精度(析像度、轉移忠實度、重合精度、線寬誤差等)的降低。
發明內容
本發明的目的在于,提供能夠轉移液體而不產生泄漏及液體的殘留的載臺裝置及曝光裝置。
本發明采用了與實施方式中所示的各圖對應的以下的構成。但是,加在各要素上的帶括號的符號只不過是該要素的例示,并非限定各要素。
依照本發明的第一方式,提供一種載臺裝置,其具備:沿著基準面(21a)移動的第一及第二載臺(WST、MST);計測沿著與上述基準面交叉的第一方向的、上述第一及第二載臺之間的第一間隙(G2)的第一計測裝置(64);基于上述第一計測裝置的計測結果來調整上述第一間隙的第一調整裝置(20、27、47)。
根據該載臺裝置,可利用第一計測裝置來計測第一載臺與第二載臺之間的交叉方向上的相對位置,基于該計測結果并利用第一調整裝置來調整第一載臺與第二載臺之間的相對位置。
依照本發明的第二方式,提供一種載臺裝置,其具備:沿著基準面(21a)移動的第一及第二載臺(WST、MST);計測上述第一及第二載臺的沿著上述基準面的各位置的計測裝置(22、23);檢測上述第一載臺的上表面的邊緣及上述第二載臺的上表面的邊緣的檢測裝置(45);基于上述計測裝置的計測結果和上述檢測裝置的檢測結果來調整上述第一及第二載臺的至少一個載臺的沿著上述基準面的位置的調整裝置(20、28a、28b、48a、48b)。
根據該載臺裝置,可利用位置檢測裝置來分別檢測出第一載臺及第二載臺的第一方向的位置,并且利用檢測裝置來分別檢測出第一載臺上表面的邊緣部及第二載臺上表面的邊緣部,基于這些檢測結果并利用調整裝置來調整第一載臺和第二載臺的至少一方的第一方向的位置。
依照本發明的第三方式,提供一種曝光裝置,其是經由液體(Lq)將襯底(w)曝光的曝光裝置,且具備基于第一方式的載臺裝置,上述第一計測裝置不經由上述液體地計測上述第一間隙。
依照本發明的第四方式,提供一種曝光裝置,其是經由液體(Lq)將襯底(W)曝光的曝光裝置,且具備基于第二方式的載臺裝置,上述檢測裝置不經由上述液體地檢測上述第一載臺的上表面的邊緣及上述第二載臺的上表面的邊緣。
依照本發明的第五方式,提供一種器件制造方法,其是具有曝光工序的器件制造方法,且使用上述的曝光裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社尼康,未經株式會社尼康許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680007894.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





