[發(fā)明專(zhuān)利]形成用于CMOS器件的自對(duì)準(zhǔn)的雙氮化硅襯墊的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680006657.2 | 申請(qǐng)日： | 2006-02-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101133481A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 托馬斯·W.·戴爾;楊海寧 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 形成 用于 cmos 器件 對(duì)準(zhǔn) 氮化 襯墊 方法 | ||
1.一種形成用于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件的自對(duì)準(zhǔn)的雙氮化硅襯墊的方法，該方法包括：
在第一極性類(lèi)型器件(102)和第二極性類(lèi)型器件(104)上形成第一類(lèi)型氮化物層(116)；
在所述第一類(lèi)型氮化物層(116)上形成形貌層(118)；
圖案化并除去所述第一類(lèi)型氮化物層(116)和所述形貌層(118)在所述第二極性類(lèi)型器件(104)上的部分；
在所述第二極性類(lèi)型器件(104)上以及在所述第一極性類(lèi)型器件(102)上的所述形貌層(116)的剩余部分上形成第二類(lèi)型氮化物層(120)，以限定沿所述形貌層(118)的側(cè)壁的第二類(lèi)型氮化物材料的立柱(124)，所述第二類(lèi)型氮化物層(120)與所述第一類(lèi)型氮化物層(116)的側(cè)壁相接觸；
除去所述形貌層(118)；以及
除去所述立柱(124)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一類(lèi)型氮化物層(116)為拉伸氮化物層，所述第二類(lèi)型氮化物層(120)為壓縮氮化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中，所述第一極性類(lèi)型器件(102)為NFET，所述第二極性類(lèi)型器件(104)為PFET。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，所述拉伸氮化物層(116)和所述壓縮氮化物層(120)以大約為所期望的其最終厚度的兩倍的初始厚度形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，所述除去所述立柱(124)的步驟還使所述拉伸氮化物層(116)和所述壓縮氮化物層(120)的所述初始厚度被減少到所述的所期望的其最終厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中，所述形貌層(118)還包括氧化物層和多晶硅層之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括：
在所述壓縮氮化物層(120)上涂敷光刻膠材料；
使所述光刻膠材料凹進(jìn)至低于所述壓縮氮化物層(120)在所述形貌層(118)上方的部分的水平面；
除去所述壓縮氮化物層(120)在所述形貌層(118)上方的所述部分；以及
在除去所述立柱(124)之前除去所述光刻膠材料和所述形貌層(118)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，所述形貌層(118)以大約5000埃的厚度形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，所述壓縮氮化物層(120)以大約為所期望的其最終厚度的兩倍的初始厚度形成，并且所述的拉伸氮化物層(116)以大約為所期望的其最終厚度的初始厚度形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中，所述除去所述立柱(124)的步驟還使所述壓縮氮化物層(120)的所述初始厚度被減少到所述的所期望的其最終厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括在形成所述形貌層(118)之前，在所述拉伸氮化層材料(116)上形成氧化物襯墊，其中，所述圖案化也除去所述氧化物襯墊在所述PFET器件上的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中，所述形貌層(118)還包括多晶硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，還包括：
在所述壓縮氮化物層(120)上涂敷光刻膠材料；
使所述光刻膠材料凹進(jìn)至低于所述壓縮氮化物層(120)在所述形貌層(118)上方的部分的水平面；
除去所述壓縮氮化物層(120)在所述形貌層(118)上方的所述部分；以及
在除去所述立柱(124)之前除去所述光刻膠材料和所述形貌層(118)；
其中，所述氧化物襯墊材料在除去所述立柱(124)和減少所述壓縮氮化物層(120)厚度的期間保護(hù)所述拉伸氮化物層(116)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中，所述形貌層(118)以大約3000埃的厚度形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，所述拉伸氮化物層(116)和所述壓縮氮化物層(120)以大約為所期望的其最終厚度的初始厚度形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，還包括在形成所述形貌層(118)之前，在所述拉伸氮化物材料(116)上形成氧化物襯墊，其中，所述圖案化也除去所述氧化物襯墊在所述PFET器件上的部分。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司，未經(jīng)國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680006657.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
