[發明專利]芯片尺寸封裝

有效

• 申請號: 200680006505.2
• 申請日: 2006-04-20
• 公開（公告）號: CN101288167A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: M·施坦丁;R·J·克拉克
• 申請（專利權）人: 國際整流器公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種用于制造半導體封裝的方法，包括：

在傳導外殼的內部形成框架以對所述外殼內部的用于收納半導體沖模的收納區進行定義，所述框架不會由于液相焊錫而變濕；

提供在其一個表面上具有第一功率電極的半導體設備；

將焊膏塊放入至所述表面區域與所述第一功率電極之間；

使所述焊膏回流；以及

使所述焊膏凝固。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體設備為功率半導體設備。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體設備為功率金屬氧化物半導體場效應管。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體設備為絕緣柵雙極型晶體管。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述半導體設備為二極管。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述框架為按滴沉積。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述框架為印刷模版。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導外殼包括網膜部分以及環繞所述網膜部分的壁，所述表面區域定義在所述網膜部分上。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導外殼由銅組成。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導外殼鍍有銀或金。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導外殼包括涂有高熱吸收電介質的外表面。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述電介質為聚合物。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述電介質為著色聚合物。

14.根據權利要求1所述的方法，其中所述框架由阻焊組成。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述框架由鈍化材料組成。

16.根據權利要求14所述的方法，其中所述鈍化材料為氧化物。

17.根據權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括使高熱吸收電介質按滴沉積在所述傳導外殼的外表面上。

18.根據權利要求17所述的方法，其中所述熱導電介質為高導熱性聚合物。

19.一種功率半導體封裝，包括：

傳導外殼，該傳導外殼具有用于收納功率半導體沖模的內表面；

功率半導體沖模，該功率半導體沖模具有通過導電粘合劑而電氣地且機械地附著于所述內表面上的第一功率電極；以及

高熱吸收電介質，該高熱吸收電介質位于所述傳導外殼的外表面上。

20.根據權利要求19所述的封裝，其中所述電介質由聚合物組成。

21.根據權利要求19所述的封裝，其中所述半導體沖模為功率金屬氧化物半導體場效應管、絕緣柵雙極型晶體管以及二極管中的一者。

22.根據權利要求19所述的封裝，其中所述電介質為著色聚合物。