[發明專利]用于偏置相變存儲陣列以進行可靠寫入的結構和方法

有效

• 申請號: 200680006301.9
• 申請日: 2006-01-11
• 公開（公告）號: CN101189679A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 羅伊·E·朔伊爾萊因
• 申請（專利權）人: 桑迪士克3D公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種在包括存儲單元陣列的集成電路中用于在不干擾未選擇的存儲單元的同時寫入至少一個所選擇的存儲單元的方法，所述存儲單元的每一者包括二極管和可通過熱激活可逆地從一種狀態切換成另一狀態的存儲器材料，且每一者串聯連接在字線與位線之間，所述方法包括：

控制未連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的字線和位線上的電壓；

控制連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的字線和位線中一者上的電壓；及

控制連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線和位線中另一者上的電流，以使所述電流產生所述熱激活。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述存儲器材料包括相變材料。

3.如權利要求1所述的方法，其中對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線和位線上的電流和電壓進行控制，以使所述所選擇的至少一個存儲單元兩端的壓降大于未選擇的存儲單元兩端上的壓降。

4.如權利要求1所述的方法，其中未連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的位線上的所述電壓與連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的字線上的電壓，相差一小于所述二極管的閾值電壓的量。

5.如權利要求1所述的方法，其中未連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的字線上的所述電壓與連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的位線上的電壓，相差一小于所述二極管的閾值電壓的量。

6.如權利要求1所述的方法，其中：

對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線和位線中之一者上的電壓進行控制包括對連接至所述所選擇的存儲單元的所述字線上的電壓進行控制，及

對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線和位線中另一者上的電流進行控制包括對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述位線上的電流進行控制。

7.如權利要求6所述的方法，其中使連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線上的所述電壓變成施加至所述存儲單元陣列上的最低電壓，且將連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述位線上的所述電流拉至由電流鏡所選擇的值。

8.如權利要求6所述的方法，其中使連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線上的所述電壓變成比未連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的位線上的所述電壓高的電壓，且將連接至所述至少一個所選擇的存儲單元上的所述位線拉至由電流鏡所選擇的值。

9.如權利要求6所述的方法，其中所述電流是由電壓源來提供，所述電壓源具有比未連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線上的所述電壓高的電壓。

10.如權利要求1所述的方法，其中對連接至所述所選擇的存儲單元的所述字線和位線中之一者上的電壓進行控制包括對連接至所述所選擇的存儲單元的所述位線上的電壓進行控制，且所述對連接至所述所選擇的存儲單元上的所述字線和位線中另一者上的電流進行控制包括對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線上的電流進行控制。

11.如權利要求1所述的方法，其中寫入至少一個所選擇的存儲單元包括寫入多個所選擇的存儲單元。

12.如權利要求11所述的方法，其中：

對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的字線和位線中之一者上的電壓進行控制包括對所述字線上的電壓進行控制，及

對連接至所述至少一個所選擇的存儲單元的所述字線和位線中另一者上的電流進行控制包括對連接至第一存儲單元的第一位線上的電流進行控制和對連接至第二存儲單元的第二位線上的電流進行控制。

13.如權利要求12所述的方法，其中

對連接至第一存儲單元的第一位線上的電流進行控制包括將第一電流鏡連接至所述第一存儲單元，及

對連接至第二存儲單元的第二位線上的電流進行控制包括將第二電流鏡連接至所述第二存儲單元。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述第一電流鏡和第二電流鏡使所述第一和第二存儲單元中的所述相變材料呈不同的狀態。

15.如權利要求13所述的方法，其中所述第一電流鏡提供比所述第二電流鏡所提供的電流至少大50％的電流。