[發(fā)明專利]半導體器件鍵合裝置以及使用該裝置鍵合半導體器件的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680006043.4 | 申請日： | 2006-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN101128914A | 公開（公告）日： | 2008-02-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 內藤浩幸;仕田智;上野康晴;森川誠 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;B23K20/10 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 裝置 以及 使用 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件鍵合裝置，其重復進行鍵合半導體器件和襯底的操作，
該半導體器件鍵合裝置包括：
施壓部件，在將凸起設置在所述半導體器件和所述襯底之間的狀態(tài)下，將所述半導體器件壓向所述襯底一側；
超聲波振動施加部件，通過將超聲波振動施加到所述半導體器件和所述襯底中的至少一個，使所述半導體器件和所述襯底相對振動；
時間測量部件，測量從開始施加所述超聲波振動時的時間到按壓所述半導體器件達預定距離時的時間所需的時間段；以及
控制部件，基于由所述時間測量部件測量到的所述時間段，在隨后的鍵合過程中控制超聲波振動的輸出。
2.一種半導體器件的鍵合方法，其中重復進行鍵合半導體器件和襯底的操作，
該方法包括：
在將凸起設置在所述半導體器件和所述襯底之間的狀態(tài)下，通過將超聲波振動施加到所述半導體器件和所述襯底中的至少一個來使所述半導體器件和所述襯底相對振動，同時將所述半導體器件壓向所述襯底一側；
測量從開始施加所述超聲波振動時的時間到按壓所述半導體器件達預定距離時的時間所需的時間段；以及
基于所測量到的時間段，在隨后的鍵合過程中控制超聲波振動的輸出。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
