[發明專利]氧化鎂單晶蒸鍍材料及其制造方法

無效

• 申請號: 200680005522.4
• 申請日: 2006-02-21
• 公開（公告）號: CN101124347A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 東淳生;川口祥史;國重正明
• 申請（專利權）人: 達泰豪化學工業株式會社
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;李茂家

技術領域

本發明涉及在使用電子束蒸鍍法、離子電鍍法等真空蒸鍍法制造例如等離子體顯示板(以下，稱“PDP”)用保護膜時被用作蒸鍍源的氧化鎂(MgO)單晶蒸鍍材料及其制造方法。

背景技術

利用了放電發光現象的PDP，其作為易大型化的平面顯示器的開發正在進行。透明電極被玻璃電介質覆蓋著的結構的AC型PDP，為防止由于離子沖擊的濺射而導致的電介質表面變質、放電電壓升高，通常在該電介質上形成保護膜。該保護膜要求具有低的放電電壓、耐濺射性優異。

作為滿足所述要求的保護膜，一直以來是使用MgO膜。MgO膜是耐濺射性優異且二次電子發射系數大的絕緣體，因此可降低放電起始電壓，有助于延長PDP的壽命。

現在，通常通過電子束蒸鍍法、離子電鍍法等真空蒸鍍法，使MgO蒸鍍材料在電介質上形成MgO膜。作為MgO蒸鍍材料，一直使用高純度MgO多晶的燒結體、破碎單晶得到的物質等。

MgO多晶燒結體成膜速度慢，且成膜時易發生蒸鍍材料的飛濺(splash)，因此難得到均勻的保護膜。于是，提出了如下方案：通過使用高純度且高密度、平均晶體粒徑控制在特定范圍內的MgO多晶的燒結顆粒作為蒸鍍材料，或者通過使用高純度且高密度、碳的含量控制在特定量以下的MgO多晶的燒結顆粒作為蒸鍍材料，從而降低蒸鍍時飛濺的發生，得到均勻的保護膜(專利文獻1、專利文獻2)。

進而，提出了一種方案：通過限定由MgO多晶燒結體形成的蒸鍍材料的體積、表面粗糙度，從而增加被電子束照射的區域的蒸鍍材料的實際上的表面積，提高成膜速度(專利文獻3、專利文獻4及專利文獻5)。

然而，按上述方法進行改良而得到的MgO多晶燒結體，雖然在蒸鍍時成膜速度的提高、抑制飛濺發生方面可見一定的效果，但還很難說是達到滿足程度的保護膜。并且，多晶燒結體的晶界原來晶格變形集中，露出于蒸鍍材料表面的晶界濃度容易產生不均勻，因此，還存在MgO的蒸發量容易變化的根本的問題。

另一方面，作為用于得到MgO單晶蒸鍍材料的生產率優異的方法，一直采用利用旋轉刃的沖擊力破碎MgO單晶的方法。破碎MgO單晶而得到的蒸鍍材料，成膜速度比較快，可得到良好的保護膜。然而，應用此種破碎方法所制造的MgO單晶蒸鍍材料，其形狀是不定形的，由于該等原因而會發生飛濺。因此，尤其是大型的基板上成膜時，存在難以獲得具有均勻膜質量的保護膜的問題。

因此，根據成膜裝置和成膜條件，使MgO的粒度最優化，從而謀求成膜速度和飛濺發生頻率的平衡，兼顧生產率和膜質量的提高。像這樣，將粒度最優化而得到的MgO單晶，雖然可以提高成膜速度，但不能充分抑制飛濺的發生，從最終獲得的MgO膜的均質性看來，還不能完全滿足要求。

專利文獻1：日本特開平10-297956號公報

專利文獻2：日本特開2000-63171號公報

專利文獻3：日本特開2004-43955號公報

專利文獻4：日本特開2004-43956號公報

專利文獻5：日本特開2004-84016號公報

發明內容

本發明的目的在于解決上述問題，提供一種MgO單晶蒸鍍材料及其制造方法，該MgO單晶蒸鍍材料作為靶材用于使用電子束蒸鍍法、離子電鍍法等真空蒸鍍法在基板上形成MgO膜，該MgO單晶蒸鍍材料在蒸鍍時不降低成膜速度就可抑制飛濺并得到均質的MgO膜。

通常，成膜速度取決于MgO從蒸鍍材料的蒸發量。而且，例如在使用電子束蒸鍍法的情況下，電子束照射區域的蒸鍍材料的表面積越大，雜質元素量越多，晶體變形越大，則蒸發速度越增加。本發明人們對于在采用MgO單晶作為MgO蒸鍍材料的起始原料并將其用作真空蒸鍍法中的蒸鍍材料時，針對不降低成膜速度而可防止飛濺的條件反復進行了各種研究。

結果發現，由蒸鍍材料的特定晶格面構成的最大投影面作為蒸發面與電子束的照射方向正對的話，成膜速度增加。還發現，為防止發生飛濺，將蒸鍍材料的體積限定在特定值以上是有效的，從而完成了本發明。

也就是說，本發明提供了一種MgO單晶蒸鍍材料，其特征在于，該蒸鍍材料由MgO單晶形成，將蒸鍍材料的最大投影面的等效圓直徑設為D(m)、將與最大投影面垂直的方向的厚度設為t(m)、將蒸鍍材料的體積設為V(m³)時，D/t為4以上，t為0.4×10^-3m以上，V為5×10^-9m³以上，并且，所述最大投影面的總面積的90％以上是由(100)面、(110)面及(111)面中的至少一種構成。