[發明專利]氧化鎂單晶蒸鍍材料及其制造方法無效
| 申請號: | 200680005522.4 | 申請日: | 2006-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN101124347A | 公開(公告)日: | 2008-02-13 |
| 發明(設計)人: | 東淳生;川口祥史;國重正明 | 申請(專利權)人: | 達泰豪化學工業株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化鎂 單晶蒸鍍 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一種氧化鎂單晶蒸鍍材料,其特征在于,蒸鍍材料由氧化鎂單晶形成,將所述蒸鍍材料的最大投影面的等效圓直徑設為D(m)、將與所述最大投影面垂直的方向的厚度設為t(m)、將蒸鍍材料的體積設為V(m3)時,D/t為4以上,t為0.4×10-3m以上,V為5×10-9m3以上,并且,所述最大投影面的總面積的90%以上是由(100)面、(110)面及(111)面中的至少一種構成。
2.根據權利要求1所述的氧化鎂單晶蒸鍍材料,其中,所述D為20×10-3m以下。
3.根據權利要求1或2所述的氧化鎂單晶蒸鍍材料,其中,所述最大投影面的總面積的90%以上由(100)面構成。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的氧化鎂單晶蒸鍍材料,其中,所述氧化鎂單晶是由電弧電熔法制造的,并且,氧化鎂單晶的純度在99.9質量%以上。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的氧化鎂單晶蒸鍍材料,所述氧化鎂單晶蒸鍍材料是用于電子束蒸鍍的蒸鍍材料。
6.一種根據權利要求1~5中任一項所述的氧化鎂單晶蒸鍍材料的制造方法,該氧化鎂單晶蒸鍍材料的制造方法包括破碎氧化鎂單晶的工序,所述破碎工序包括以下工序,即,在加工成由氧化鎂(100)面、(110)面及(111)面中任意一面構成的大致長方體形狀后,沿著所述大致長方體形狀的氧化鎂單晶的與所期望的最大投影面垂直的方向的厚度解理,接著,破碎成所期望的等效圓直徑。
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