[發(fā)明專利]透光性物品的檢查方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680005281.3
• 申請日: 2006-02-15
• 公開（公告）號: CN101120245A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發(fā)明（設計）人: 田邊勝
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G01N21/958
• 分類號: G01N21/958;G03F1/08;C03B20/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

技術領域

本發(fā)明涉及檢查在例如由相對于ArF準分子激光或F2準分子激光等 持有非常強大能量的光具有透光性性質(zhì)的透光性材料構成的透光性物品 的內(nèi)部，有無相對于所述光光學特性部分變化的不均勻性的透光性物品的 檢查方法、玻璃基板的檢查方法及裝置、檢查玻璃基板的內(nèi)部缺陷后制造 掩模坯料用玻璃基板的掩模坯料用玻璃基板的制造方法、使用該掩模坯料 用玻璃基板的掩模坯料的制造方法、使用該掩模坯料的曝光用掩模的制造 方法、和使用該曝光用掩模的半導體裝置的制造方法。

背景技術

近年來，根據(jù)形成于半導體器件上的圖案的微細化，在光平版印刷技 術中使用的曝光光向ArF準分子激光(曝光光波長193nm)、F2準分子激 光(曝光波長157nm)的短波長化發(fā)展。在上述光平版印刷技術中使用的 曝光用掩模或制造該曝光用掩模的掩模坯料中，形成在掩模坯料用透光性 基板(例如玻璃基板)上的、相對于上述曝光光的曝光波長而遮斷光的遮 光膜或使相位變化的相位移動膜的開發(fā)正在急速進展，已提出了各種膜材 料。

另外，在光平版印刷技術中使用的曝光裝置(例如步進曝光裝置)中， 具備透鏡等光學部件，這些光學部件使用對曝光光吸收少即透過性優(yōu)異的 材料。

要求在上述掩模坯料用透光性基板、用于制造該掩模坯料用透光性基 板的透光性物品(例如合成石英玻璃基板)、使用于曝光裝置的透鏡等光 學部件的內(nèi)部，不存在光學不均勻性(因異物或氣泡等缺陷引起的光學特 性的變化)。在專利文獻1中公開了，對玻璃基板入射He-Ne激光，檢測 因玻璃基板所存在的光學不均勻性、例如內(nèi)部缺陷(異物或氣泡等)而散 射的散射光，由此檢測上述光學不均勻性的缺陷檢測裝置及缺陷檢測方 法。

專利文獻1：特開平8-261953號公報

專利文獻2：特開平8-31723號公報

專利文獻3：特開2003-81654號公報

即使是由通過上述的缺陷檢測裝置判定為不存在光學不均勻性(例如 內(nèi)部缺陷)的透光性基板(例如合成石英玻璃基板)、掩模坯料用透光性 基板(例如掩模坯料用玻璃基板)制造而成的曝光用掩模，在使用作為曝 光光的ArF準分子激光在半導體基板上復制曝光用掩模的掩模圖案的圖 案復制之際，也產(chǎn)生因后述的透光性基板引起的復制圖案缺陷，從而有時 復制精度下降。另外，曝光裝置中使用的透鏡等光學部件也與上述相同， 圖案復制時產(chǎn)生因光學部件引起的復制圖案缺陷，從而有時復制精度下 降。

該原因可認為如下所述，即，在將He-Ne激光等可見光激光作為檢 查光時，雖沒有發(fā)生散射等光學變化，但是將ArF準分子激光或F2準分 子激光等高能量光作為曝光光進行實際的圖案復制之際，使局部(或部分) 光學特性變化(例如，使透過率下降，使相位差變化)的光學不均勻性(例 如因局部脈紋、內(nèi)容物、異質(zhì)物引起的內(nèi)部缺陷)存在于透光性基板或光 學部件中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是考慮到上述問題而做的發(fā)明，其目的在于，提供能夠正確檢 查在光平版印刷時使用的曝光裝置的光學部件或曝光用掩模的基板等透 光性物品中的、給向被復制體上的圖案復制帶來較大影響的光學不均勻性 的有無的透光性物品的檢查方法。

本發(fā)明的其他目的在于提供可使向半導體基板上的圖案復制的復制 精度良好的半導體裝置的制造方法、用于制造該半導體裝置的可使向被復 制體上的圖案復制的復制精度良好的曝光用掩模及其制造方法、用于制造 該曝光用掩模的掩模坯料及其制造方法、用于制造該掩模坯料的掩模坯料 用透光性基板及其制造方法。

與技術方案1所述的發(fā)明相關的透光性物品的檢查方法，其使用于光 平版印刷，檢查在由透光性材料構成的透光性物品的內(nèi)部，有無相對于曝 光光光學特性部分或局部變化的不均勻性，其特征在于，向所述透光性物 品導入具有200nm以下的波長的檢查光，在所述檢查光在該透光性物品內(nèi) 部傳播的光路中，通過檢測部分或局部產(chǎn)生的比所述檢查光的波長長的 光，來檢查所述透光性物品中的光學不均勻性的有無。

與技術方案2所述的發(fā)明相關的透光性物品的檢查方法，在技術方案 1所述的發(fā)明中，其特征在于，對于比所述檢查光的波長長的光而言，該 光的波長大于200nm且在600nm以下。