[發(fā)明專利]硅氣體注射器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680004839.6
• 申請(qǐng)日: 2006-02-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101321890A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 拉南·扎哈維;里斯·雷諾茲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 統(tǒng)合材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/00
• 分類號(hào): C23C16/00;F16K51/00;B32B37/00
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國(guó);陳紅

1.一種硅氣體注射器，包含：

一注射器套管，其由包含實(shí)質(zhì)純硅的兩個(gè)殼層所形成，所述殼層由一種由 硅粉體與一種氧化硅形成劑所形成的黏著劑而接合在一起，并在所述殼層之間 形成一第一中央孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其特征在于，進(jìn)一步包含一第二硅套 管組件，其由一種由硅粉體與一種氧化硅形成劑所形成的黏著劑而黏接至所述 兩個(gè)殼層，以及包含垂直地延伸至所述注射器套管的一供給套管，并且包含一 與所述第一中央孔連通的第二中央孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其特征在于，所述硅粉體的尺寸分布 為所有粒子中99％的粒子的直徑小于75微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的注射器，其特征在于，所述尺寸分布為所有粒 子中99％的粒子的直徑小于10微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的注射器，其特征在于，所述尺寸分布為所有粒 子中99％的粒子的直徑小于100納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的注射器，其特征在于，所述第二硅套管組件包 含所述供給套管以及一體成型的一彎管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注射器，其特征在于，所述兩個(gè)殼層由未經(jīng)處 理的多晶硅所形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意之一所述的注射器，其特征在于，所述兩個(gè) 殼層包含多個(gè)接合舌狀突出物與凹槽位于所述兩個(gè)殼層之間的界面處。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意之一所述的注射器，其特征在于，所述兩個(gè) 殼層包含在所述兩個(gè)殼層之間的界面處的接合階梯。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意之一所述的注射器，其特征在于，所述兩個(gè) 殼層包含在所述兩個(gè)殼層之間的界面處的多個(gè)階梯狀接合表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意之一所述的注射器，其特征在于，進(jìn)一步包 含一蓋件，其密封至所述接合殼層的一端上；以及更包含至少一孔洞，形成于 所述殼層其中之一的一軸向延伸側(cè)上，并且延伸至所述套管的一孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的注射器，其特征在于，多個(gè)所述孔洞軸向地 沿著所述軸向延伸側(cè)間隔設(shè)置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的注射器，其特征在于，所述孔洞的直徑或在 至少三個(gè)孔洞之間的間距沿著所述軸向延伸側(cè)而改變。

14.一種組裝一氣體注射器的方法，包含下列步驟：

提供兩個(gè)殼層，所述兩個(gè)殼層包含實(shí)質(zhì)純硅，并且當(dāng)所述兩個(gè)殼層組裝在 一起時(shí)會(huì)在其間形成一軸向孔徑；

施加一黏著劑至所述兩個(gè)殼層的至少一些接合面上，所述黏著劑包含硅粉 體與一可固化的氧化硅形成劑；

通過(guò)將所述兩個(gè)殼層的各別接合面并置在一起以組裝所述兩個(gè)殼層；以及

利用一足以玻璃化所述黏著劑的溫度來(lái)退火所述已組裝的殼層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述溫度至少為400℃。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述溫度介于850℃與 1000℃之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述提供步驟包含：

由至少一種已退火且未經(jīng)處理的多晶硅構(gòu)件加工成所述殼層。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包含在施加所述 黏著劑之前，先施加一無(wú)粉體潤(rùn)濕劑至所述至少一些接合面上。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述潤(rùn)濕劑包含一可固 化的氧化硅形成劑。

20.根據(jù)權(quán)利要求14至19任意之一所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包 含：

混合所述氧化硅形成劑與所述硅粉體形成一混合物；以及

超音波攪動(dòng)所述混合物以形成所述黏著劑。

21.一種熱處理硅晶圓的方法，包含：

支撐多個(gè)硅生產(chǎn)晶圓于一硅塔上；

將所述硅塔與支撐在所述硅塔上的所述晶圓安置于一爐中，所述爐包含一 硅襯墊包圍所述塔；以及

流入一工藝氣體通過(guò)至少一硅注射器中，所述注射器具有設(shè)置在所述塔與 所述襯墊之間的一出口，以在所述襯墊內(nèi)所述爐的一熱區(qū)中處理所述生產(chǎn)晶 圓；其中所述注射器包含一套管，該套管由兩個(gè)實(shí)質(zhì)純硅殼層所形成，所述殼 層是以一種由硅粉體與一種氧化硅形成劑所形成的黏著劑所接合在一起，并在 所述殼層之間形成一中央軸向孔；

其中所述塔、所述襯墊與設(shè)置在所述熱區(qū)中的所述注射器的所有主體部分 實(shí)質(zhì)上不具有硅以外的材料，以及排除了用于所述注射器的任何含鉛黏著劑。