[發(fā)明專利]包括衍射浮雕結(jié)構(gòu)的多層體及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680004626.3
• 申請(qǐng)日: 2006-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN101115627A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·施陶布;W·R·湯普金;A·席林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OVD基尼格拉姆股份公司
• 主分類號(hào): B42D15/10
• 分類號(hào): B42D15/10;B44C1/14
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 龍傳紅

1.具有部分成形的第一層(3m)的多層體(100，100′)的制備方法，其特征在于

在多層體的復(fù)制層(3)的第一區(qū)域中成形衍射性第一浮雕結(jié)構(gòu)(4)，在該第一區(qū)域中和其中在復(fù)制層(3)中沒有成形第一浮雕結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域中將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)上，其中由復(fù)制層(3)限定的平面具有恒定的表面密度，將光敏層(8)施加到第一層(3m)上或?qū)⒐饷粜韵礈煅谀Ｗ鳛閺?fù)制層施加到其上，透過第一層(3m)將該光敏層或洗滌掩模(8)曝光以致由于第一和第二區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)而引起該光敏層或洗滌掩模(8)不同地曝光，和在第一區(qū)域而不是第二區(qū)域中或在第二區(qū)域而不是第一區(qū)域中使用經(jīng)曝光的光敏層或洗滌掩模(8)作為掩模層將第一層(3m)除去。

2.權(quán)利要求1的方法，其特征在于將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)的整個(gè)表面積上，尤其是通過蒸汽沉積施加。

3.權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的方法，其特征在于以第一層(3m)基本上不透明并且優(yōu)選具有大于1.5的光學(xué)密度的厚度將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)上。

4.權(quán)利要求1或權(quán)利要求2的方法，其特征在于以第一層(3m)具有2-7的光學(xué)密度的厚度將第一層(3m)施加到復(fù)制層(3)的整個(gè)表面積上。

5.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于第一層(3m)由金屬層或金屬合金的層形成。

6.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于在復(fù)制層的第二區(qū)域中成形第二浮雕結(jié)構(gòu)并且作為第一浮雕結(jié)構(gòu)在該復(fù)制層中成形的那個(gè)是衍射性浮雕結(jié)構(gòu)，相對(duì)于第二區(qū)域中的第一層(3m)的透射性尤其是透明性，它增加第一區(qū)域中的第一層(3m)的透射性尤其是透明性。

7.權(quán)利要求6的方法，其特征在于該第一浮雕結(jié)構(gòu)具有比該第二浮雕結(jié)構(gòu)更大的浮雕深度。

8.權(quán)利要求6和7中一項(xiàng)的方法，其特征在于該第一浮雕結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積大于該第二浮雕結(jié)構(gòu)的空間頻率和浮雕深度的乘積。

9.權(quán)利要求6至8中一項(xiàng)的方法，其特征在于所述第一或第二浮雕結(jié)構(gòu)呈以下形式：光學(xué)活性、反射或透射性光衍射和/或光折射和/或光散射微米或納米結(jié)構(gòu)，例如呈光柵結(jié)構(gòu)如線性光柵或交叉光柵形式，各向同性或各向異性消光結(jié)構(gòu)，二元或連續(xù)菲涅耳透鏡，微棱鏡、閃耀光柵，組合結(jié)構(gòu)或宏觀結(jié)構(gòu)。

10.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將相對(duì)于各個(gè)結(jié)構(gòu)元件具有高深寬比，尤其具＞0.3的深寬比的衍射性浮雕結(jié)構(gòu)成形為第一區(qū)域中的第一浮雕結(jié)構(gòu)。

11.權(quán)利要求10的方法，其特征在于該第二浮雕結(jié)構(gòu)呈具有低深寬比的浮雕結(jié)構(gòu)形式.

12.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于該復(fù)制層和該第一層之間的界面層在第二區(qū)域中基本上是平坦的。

13.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將具有二元特征的光敏材料作為光敏層(8)或光敏性洗滌掩模施加并且以一定曝光強(qiáng)度和在一定曝光時(shí)間下透過第一層將光敏層或光敏性洗滌掩模曝光，所述光敏層(8)或光敏性洗滌掩模在第一區(qū)域中被活化并且在第二區(qū)域中沒有被活化，在所述第一區(qū)域中，第一層(3m)的透射性由于第一浮雕結(jié)構(gòu)而增加。

14.權(quán)利要求13的方法，其特征在于利用UV輻射透過第一層(3m)將光敏層或洗滌掩模(8)曝光。

15.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于以洗滌工藝將通過曝光操作活化的光敏性洗滌掩模的區(qū)域和設(shè)置在那里的第一層(3m)的區(qū)域除去。

16.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于將透過第一層(3m)曝光的光敏層(8)顯影并且經(jīng)顯影的光敏層(8)形成第一層(3m)的蝕刻掩模。

17.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于在其中第一層(3m)的透射性由于第一浮雕結(jié)構(gòu)而增加的第一區(qū)域中通過曝光將光敏層活化并且經(jīng)活化的光可活化層形成第一層(3m)的蝕刻劑。

18.上述權(quán)利要求中一項(xiàng)的方法，其特征在于該光敏層(8)由光致抗蝕劑形成。

19.權(quán)利要求18的方法，其特征在于所述光致抗蝕劑為正性光致抗蝕劑形式。