[發(fā)明專利]浮法槽和浮法成形方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680004561.2
• 申請(qǐng)日: 2006-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN101115687A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上堀徹;伴信之;瀧口哲史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03B18/22
• 分類號(hào): C03B18/22
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于玻璃板制備的浮法槽，其適用于浮法成形在粘度達(dá)到10⁴泊時(shí)的溫度(下文中該溫度被稱為成形溫度)高于鈉鈣玻璃的玻璃，并涉及用于這種浮法成形的方法。

背景技術(shù)

通過浮法成形熔融狀態(tài)的鈉鈣玻璃制成的玻璃板迄今已經(jīng)廣泛用于例如建筑物、機(jī)動(dòng)車輛的窗玻璃等和STN液晶顯示器的玻璃基板的應(yīng)用。目前，浮法成形已經(jīng)成為制備鈉鈣玻璃板的主要方法(參見非專利文獻(xiàn)1)。

浮法槽是巨大的熔融錫槽，并且覆蓋著所述熔融錫的空間(該空間用頂部覆蓋)被頂部磚層分成上部空間和下部空間。所述頂部磚層具有許多形成于其中的孔，并且多個(gè)加熱器(通常是由SiC制成的加熱器)被布置為使其穿過這些孔。這些加熱器由電線通過由鋁制成的帶連接到，例如布置在所述頂部磚層上的上部空間中的母線(bus?bars)上，并且覆蓋所述熔融錫的氣氛通過突出到在所述頂部磚層下的下部空間的每個(gè)加熱器的加熱部分產(chǎn)生的熱量而被加熱。

順便提及，具有比鈉鈣玻璃的成形溫度高100℃或更高的成形溫度的無堿玻璃近來被用作用于TFT液晶顯示器(TFT-LCD)的玻璃基板。當(dāng)通過浮法工藝制備這些玻璃基板時(shí)，應(yīng)該進(jìn)一步升高熔融錫槽的溫度，并且，因此所述槽上的空間的溫度也保持較高。

非專利文獻(xiàn)1：Masayuki?Yamane等人編，Glass?EngineeringHangbook，第1版，Asakura?Publishing?Co.，Ltd.，7月5日，1999，第358-362頁。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題

然而，當(dāng)將為鈉鈣玻璃建立的浮法槽或浮法工藝用于將成形溫度比鈉鈣玻璃的成形溫度高100℃或更高的無堿玻璃成形為玻璃板時(shí)，會(huì)出現(xiàn)各種問題。這些問題中的一個(gè)涉及在如上所述的上部空間(在下文中有時(shí)被簡(jiǎn)單稱為上部空間)中氣氛溫度的升高，這將在下文中描述。

如上所述，電線部分例如母線和電線，加熱器末端部分(包括加熱器供電部分，該供電部分具有連接于其的用于向所述加熱器供電的帶，和除了所述加熱器供電部分的其它部分)等存在于所述上部空間。其中，達(dá)到最高溫度的部件是直接連接于各加熱器供電部分的平面網(wǎng)絡(luò)線形狀的鋁帶，所述加熱器供電部分由于，例如從位于所述下部空間的加熱器加熱部分傳導(dǎo)的熱量而具有升高的溫度。

在其中這種帶由于其高溫而被損壞，并且因此向所述帶已經(jīng)連接的加熱器的供電變得不穩(wěn)定的情況下，它自身變得不能充分地傳導(dǎo)熱量。發(fā)生這樣的損壞削弱了對(duì)所述浮法槽上部空間的設(shè)定溫度的控制，從而引起關(guān)于生產(chǎn)滿意質(zhì)量的玻璃板的麻煩。在這種帶的損壞大量發(fā)生的情況下，存在可能出現(xiàn)關(guān)于生產(chǎn)的嚴(yán)重問題的可能性。

為了避免發(fā)生由這種帶損壞引起的問題，通常將所述上部空間的氣氛溫度T_r調(diào)節(jié)為使其不超過300℃。在調(diào)節(jié)所述上部空間氣氛溫度中，T_r的上限溫度是300℃，基于在所述浮法工藝應(yīng)用到鈉鈣玻璃的長(zhǎng)期應(yīng)用中獲得的結(jié)果/經(jīng)驗(yàn)，該溫度被確定為能保證在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，例如10年，不發(fā)生帶的損壞。

順便提及，當(dāng)具有比鈉鈣玻璃更高的成形溫度的玻璃(下文中這種玻璃有時(shí)被稱為“高粘性玻璃”)要通過所述浮法工藝成形時(shí)，在所述浮法槽中的熔融錫的溫度應(yīng)該保持高于通過所述浮法工藝成形鈉鈣玻璃的情況下的溫度，這導(dǎo)致上部空間氣氛溫度T_r升高。當(dāng)所述上部空間的氣氛溫度T_r可能超過300℃時(shí)，以保護(hù)氣體(典型地，氮?dú)?氫氣混合氣體)的體積V_g表示的流速通常被提高。即，強(qiáng)制保護(hù)氣體流動(dòng)以通過使保護(hù)氣體流過所述帶附近以從所述加熱器末端部分的表面除去熱量，并從而降低所述帶的溫度。順便提及，所述保護(hù)氣體通過在例如，所述頂部外殼頂中形成的孔引入到所述上部空間中，冷卻所述電線部件等，并然后通過所述頂部磚層的孔流入到所述下部空間中以防止所述熔融錫的氧化。

然而，這種體積流速V_g的增加不僅造成加熱器熱量的減少→用于補(bǔ)償所述減少而增加加熱器輸出→上部空間氣氛溫度T_r的再次增加→體積流速V_g的增加這樣一個(gè)惡性循環(huán)，還增加了錫在所述玻璃帶上可能產(chǎn)生壞點(diǎn)(頂部斑點(diǎn))或增加數(shù)量的可能性。盡管近年來用于TFT-LCD的玻璃基板變得越來越大，并愈發(fā)要求具有更高的質(zhì)量，但上述頂部斑點(diǎn)的增加會(huì)降低了生產(chǎn)效率，尤其是降低了大尺寸玻璃基板的生產(chǎn)效率。