[發(fā)明專利]浮法槽和浮法成形方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680004561.2
• 申請(qǐng)日: 2006-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN101115687A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上堀徹;伴信之;瀧口哲史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03B18/22
• 分類號(hào): C03B18/22
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 梁曉廣;陸錦華

1.一種浮法槽，其包括裝有熔融錫的底部和覆蓋該底部的頂部，并且其中在所述頂部中的空間被頂部磚層分成上部空間和下部空間，并且加熱器被布置為貫穿在所述頂部磚層中形成的孔，

其中，位于所述上部空間的加熱器末端部分具有供電部分，該供電部分具有與其連接的用于向所述加熱器供電的帶，和

其中，當(dāng)所述供電部分的表面積和輻射系數(shù)分別由S’_k和ε_k表示，而不包括所述供電部分的加熱器末端部分的表面積和輻射系數(shù)分別由S’_n和ε_n表示時(shí)，所述加熱器末端部分被構(gòu)造為滿足下列關(guān)系：

S’_k·ε_k+S’_n·ε_n≥3,630mm²。

2.如權(quán)利要求1所述的浮法槽，其中所述供電部分的輻射系數(shù)ε_k為0.7或者更高，而不包括所述供電部分的加熱器末端部分的輻射系數(shù)ε_n為1.0。

3.如權(quán)利要求1或2所述的浮法槽，其中所述加熱器由碳化硅(SiC)制成，所述供電部分的表面用鋁進(jìn)行金屬化，并且所述帶由鋁制成。

4.如權(quán)利要求1到3中任一項(xiàng)的浮法槽，其中所述加熱器的形狀為外徑23-50mm的圓柱。

5.一種用于浮法成形的方法，包括連續(xù)將熔融態(tài)玻璃從權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的浮法槽的一端倒在所述熔融錫上，以使所述玻璃在所述熔融錫上形成玻璃帶狀物，并連續(xù)地將所述玻璃帶狀物從所述浮法槽的一端拉出。