[發(fā)明專利]采用熱噴涂生產(chǎn)基于硅與鋯的靶的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680004356.6 | 申請(qǐng)日: | 2006-02-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101115861A | 公開(公告)日: | 2008-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | N·納多德;D·比利爾斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 法國(guó)圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉維升;林森 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 噴涂 生產(chǎn) 基于 方法 | ||
1.采用熱噴涂,特別地采用等離子體法生產(chǎn)靶的方法,所述的靶 含有至少一種基于不同性質(zhì)原子的化合物,該原子特別選自屬于族(Zr、 Mo、Ti、Nb、Ta、Hf、Cr)的組分M和硅,其特征在于注入至少一部分 所述的化合物,其中這些組分在等離子體推進(jìn)器中是由共價(jià)鍵和/或離子 鍵和/或金屬鍵連接的,所述的等離子體推進(jìn)器將所述化合物的這些組分 噴射到該靶上,以便達(dá)到在所述靶的一部分表面上沉積所述化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于另一部分所述的化合 物以粉末混合物形式注入。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在 于根據(jù)它們的各自密度調(diào)節(jié)構(gòu)成該混合物的每種粉末的粒度,以便它們 的各自平均質(zhì)量應(yīng)盡可能接近。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 在充滿中性氣氛的室中進(jìn)行噴射化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于在已真空凈化的室中, 再充滿中性氣體直到壓力可以達(dá)到50-1000毫巴,進(jìn)行噴射化合物。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 在靶與等離子體之間進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 在沉積所述化合物之前進(jìn)行靶表面處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于這種表面處理包括清 洗該靶的這部分表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于這種表面處理包括在 該靶的這部分表面沉積連接材料層。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 等離子體噴射所述化合物時(shí),該靶的這部分表面進(jìn)行熱調(diào)節(jié)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 注入至少一種所述金屬M(fèi)的硅化物。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法,其特征在于 使用幾個(gè)注入通道,其中根據(jù)每個(gè)通道中的注入材料,獨(dú)立地調(diào)節(jié)注入 參數(shù)。
13.陰極濺射設(shè)備的靶,特別地磁場(chǎng)增強(qiáng)的陰極濺射設(shè)備的靶,所 述靶主要含有根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法得到的 硅,其特征在于它是SixAlyM類組成,M是選自(Zr、Mo、Ti、Nb、Ta、 Hf、Cr)的金屬。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的靶,其特征在于該靶含有所述金屬硅 化物類的化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的靶,其特征在 于它是平面或管狀幾何形狀。
16.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的靶,其特征在于 它是基于用銅或銅合金制成的載體材料的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的靶,其特征在于該靶涂敷基于銅合金 的連接層。
18.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的靶,其特征在于 它是基于用不銹鋼制成的載體材料的。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的靶,其特征在于該靶涂敷基于鎳合金 的連接層。
20.能夠生產(chǎn)權(quán)利要求13-19中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述靶的含有下面 限定的以質(zhì)量百分?jǐn)?shù)表示的組分的化合物的組合物,其特征在于它含 有:
-Al:2-20%
-Si:25-45%
-ZrSi2:45-70%。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的組合物,其特征在于它是由各自粒度 如下的粉末混合物得到的:
-ZrSi2的粒度是15-50μm
-Si粒度是30-90μm
-Al粒度是45-75μm。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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