[發(fā)明專利]天線內(nèi)置半導體存儲器模塊

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680003613.4
• 申請日: 2006-02-02
• 公開（公告）號: CN101111854A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 越智正三;冢原法人;王生和宏;西川英信;平野正人
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;G06K19/07;H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q7/02
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 陸錦華;黃啟行

1.一種天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，具備：

由具有與控制用半導體元件連接而在從外裝殼體表面露出的位置配設(shè)的連接端子和與上述控制用半導體元件連接而在上述外裝殼體內(nèi)部配設(shè)的天線連接用端子電極的布線基板、在上述布線基板上實裝的半導體存儲元件和上述控制用半導體元件構(gòu)成的實裝模塊；以及

由沿著由樹脂構(gòu)成的片狀基板的一個面的外周近旁所形成的環(huán)狀天線、在上述一個面或另一個面上形成的磁性體層、在上述一個面或另一個面上形成的天線端子電極構(gòu)成的天線模塊，

上述天線模塊是以在上述天線模塊和上述實裝模塊之間夾著上述磁性體層的方式重疊配設(shè)，使上述天線連接用端子電極和上述天線端子電極接合的構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述實裝模塊是在上述布線基板的一個面上實裝了上述半導體存儲元件及上述控制用半導體元件的構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述實裝模塊是在上述布線基板的一個面上實裝了上述半導體存儲元件，在另一個面上實裝了上述控制用半導體元件的構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述實裝模塊是在上述布線基板的一個面上積層實裝了上述半導體存儲元件的構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述實裝模塊是把實裝了上述半導體存儲元件的次基板積層實裝在上述布線基板上的構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述天線模塊是上述環(huán)狀天線在上述片狀基板的兩面上形成，通過上述片狀基板上設(shè)置的貫通電極而與上述一個面或另一個面上形成的天線連接用端子電極連接，在上述一個面或另一個面的上述環(huán)狀天線上形成了上述磁性體層的構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述天線模塊是在形成了上述環(huán)狀天線及上述磁性體層的上述片狀基板上具有比上述控制用半導體元件大的開口部，以在上述開口部內(nèi)收納上述控制用半導體元件的方式，在上述實裝模塊的上述布線基板上重疊配設(shè)了上述天線模塊的構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述天線模塊是把在第1片狀基板的一個面上形成了環(huán)狀的第1天線的第1天線模塊和在第2片狀基板的一個面上形成了環(huán)狀的第2天線的第2天線模塊積層而構(gòu)成的，在上述第1片狀基板或上述第2片狀基板上形成了上述磁性體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，連接上述第1天線模塊的第1天線端子電極和上述第2天線模塊的第2天線端子電極后的共用天線端子電極與上述實裝模塊的上述天線連接用端子電極接合。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述第1天線模塊的第1天線端子電極及上述第2天線模塊的第2天線端子電極分別與上述實裝模塊的上述天線連接用端子電極接合。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線內(nèi)置半導體存儲器模塊，其特征在于，上述天線模塊由2個組成，在上述實裝模塊的兩面上分別重疊配設(shè)了上述天線模塊。