[發(fā)明專利]制造雙柵極FET的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680003375.7
• 申請日: 2006-01-23
• 公開（公告）號: CN101142686A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韋伯·D·范諾爾特;弗朗西斯庫斯·P·威德斯霍芬;拉杜·芬爾代亞努
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/49;H01L29/423;H01L29/165;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種用于制造雙柵極FET的方法，包括步驟：

在襯底(1)上形成第一半導(dǎo)體材料的凸起物(2)；

在凸起物(2)上形成第一材料的第一層(3)；

在第一層(3)上形成第二半導(dǎo)體材料的第二層(4)；

去處第一層(3)和第二層(4)以暴露凸起物(2)的項部表面；

將第一材料相對于第一和第二半導(dǎo)體材料選擇性地去除至預(yù)定深度，以在凸起物(2)和第二層(4)之間形成溝槽(5)和鰭(6)，所述鰭(6)與溝槽(5)相鄰并且包括第二層(4)；

在溝槽(5)和鰭(6)的已暴露表面上形成絕緣層(9、19)；以及

在絕緣層(9、19)上形成導(dǎo)電材料層(7、17)，從而形成柵極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟：

在形成第二層(4)之后，形成包括第一材料層(13)和第二半導(dǎo)體材料層(14)的至少一個多層結(jié)構(gòu)；

去除第一層(3)和第二層(4)的步驟還包括去除多層，以及

選擇性地去除第一材料的步驟還包括在第二半導(dǎo)體材料的層之間形成至少一個溝槽(5)和與溝槽(5)相鄰的至少一個鰭(6)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中形成第一材料層(3、13)和第二半導(dǎo)體材料層(4、14)是通過外延生長來實現(xiàn)的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括步驟：

在第一材料的選擇性去除之后，向第一和第二半導(dǎo)體材料提供摻雜劑原子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括步驟：

在溝槽(5)的底部表面和凸起物(2)和鰭(6)的頂部表面中提供注入材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述第一材料包括SiGe，以及所述第二半導(dǎo)體材料包括硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述鰭(6)的寬度小于10nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟：

去除凸起物(2)、溝槽(5)中的第一導(dǎo)電層(17)、溝槽(5)中的第一絕緣層(19)，從而在鰭(6)和第一柵極電極(37)之間形成間隔；

在所述間隔的已暴露表面上形成第二絕緣層(29)；

在所述第二絕緣層(29)上形成第二導(dǎo)電材料的第二導(dǎo)電層(27)，從而形成第二柵極電極(27)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在形成第一絕緣層(19)的步驟之前形成源極區(qū)(10)和漏極區(qū)(20)，還包括步驟：

在源極區(qū)(10)或漏極區(qū)(20)上形成至少一個觸點區(qū)域(91、92)，從而形成與所述第二柵極電極(27)的電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電材料包括金屬，并且所述第二導(dǎo)電材料包括多晶硅。