[發明專利]壓電物質元件、壓電物質膜制造方法、液體排出頭以及液體排出裝置

有效

• 申請號: 200680002605.8
• 申請日: 2006-01-18
• 公開（公告）號: CN101107724A
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 福井哲朗;武田憲一;伊福俊博;舟窪浩;橫山信太郎;金容寬;中木寬;上野梨紗子;岡本莊司
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社;國立大學法人東京工業大學
• 主分類號: H01L41/09
• 分類號: H01L41/09;H01L41/24
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

1.一種壓電物質元件，其在基板上具有壓電物質膜和一對與所述壓電物質膜連接的電極，

其中所述壓電物質膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O₃，Zr/(Zr+Ti)的組成比例大于0.4但小于0.7，所述壓電物質膜是至少具有四方晶體a疇和c疇的膜，所述a疇和c疇相對于所述基板表面的角度在±10°的范圍內，并且c疇體積與a疇和c疇的總體積之比等于或大于20％并且等于或小于60％。

2.一種壓電物質元件，其在基板上具有壓電物質膜和一對與所述壓電物質膜連接的電極，

其中所述壓電物質膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O₃，Zr/(Zr+Ti)的組成比例大于0.4但小于0.7，所述壓電物質膜是至少具有四方晶體a疇和c疇的膜，所述a疇和c疇相對于所述基板表面的角度在±10°的范圍內，并且至少一些a疇和c疇處于孿晶對映關系，其中(N0N)平面是孿晶面，其中N是整數。

3.根據權利要求2所述的壓電物質元件，其中所述體積之比等于或大于20％并且等于或小于60％。

4.根據權利要求3所述的壓電物質元件，其中所述體積之比等于或大于25％并且等于或小于60％。

5.根據權利要求1或2所述的壓電物質元件，其中所述Zr/(Zr+Ti)的組成比例等于或大于0.45但小于0.65。

6.根據權利要求1或2所述的壓電物質元件，其中所述壓電物質膜具有四方晶體、偽立方體晶體、菱形晶體中的任何一種。

7.根據權利要求1或2所述的壓電物質元件，其中所述壓電物質膜是外延單晶體膜或單軸定向膜。

8.一種壓電物質元件，其具有壓電物質膜和一對與所述壓電物質膜連接的電極，

其中所述壓電物質膜的主要成分是Pb(Zr，Ti)O₃，所述壓電物質膜是具有四方晶體a疇和c疇的膜，并且在配置這些疇的[001]軸長度和[100]軸長度中，[001]軸長度/[100]軸長度之比等于或大于1.004并且等于或小于1.040。

9.根據權利要求8所述的壓電物質元件，其中所述[001]軸長度/[100]軸長度之比等于或大于1.005并且等于或小于1.036。

10.根據權利要求9所述的壓電物質元件，其中所述[001]軸長度/[100]軸長度之比等于或大于1.015且等于或小于1.029。

11.根據權利要求8所述的壓電物質元件，其中所述Zr/(Zr+Ti)的組成比例大于0.4但小于0.7。

12.根據權利要求8所述的壓電物質元件，其中c疇體積與a疇和c疇的總體積之比等于或大于20％并且等于或小于60％。

13.根據權利要求8所述的壓電物質元件，其中至少一些a疇和c疇處于孿晶對映關系，其中(N0N)平面是孿晶面，其中N是整數。

14.根據權利要求1、2或8所述的壓電物質元件，其中所述a疇和c疇在施加電場時改變。

15.根據權利要求14所述的壓電物質元件，其中至少一些a疇和c疇處于孿晶對映關系，其中(N0N)平面是孿晶面，其中N是整數。

16.根據權利要求1、2或8所述的壓電物質元件，其中所述基板在其表面上具有Si(100)平面，在該Si(100)平面上具有緩沖層。

17.一種包含根據權利要求1、2或8所述的壓電物質元件的液體排出頭，其中通過采用所述壓電物質元件來排出液體。

18.一種液體排出裝置，包括：

根據權利要求17所述的液體排出頭；以及

用于安裝所述液體排出頭的裝置。