[發明專利]半導體激光裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 200680002145.9 | 申請日: | 2006-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN101103502A | 公開(公告)日: | 2008-01-09 |
| 發明(設計)人: | 山本剛司 | 申請(專利權)人: | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/022 | 分類號: | H01S5/022 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 激光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體激光裝置及其制造方法。特別是,本發明涉及對CD(光盤)、MD(小型盤)、DVD(數字通用盤)等讀取用光源,或者對CD-R/RW(可記錄/可改寫光盤)、DVD-R/RW(可記錄/可改寫數字通用盤)的寫入用光源中所使用的半導體激光裝置。
背景技術
圖8中示出日本特開2004-31900號公報中所公開的現有的半導體激光裝置。半導體激光裝置X是向圖中上方射出激光的裝置。在以下,說明半導體激光裝置X的構成。
半導體激光裝置X具有立柱(stem)91。立柱91由基座91A和塊體91B組成。在塊體91B的上面設置有半導體激光元件92。在基座91A的上面設置有受光元件93。此外,在基座91A上形成有兩個孔91Aa。
引線94A、94B貫通各個孔91Aa。引線94A經由導線與半導體激光元件92導通,引線94B與受光元件93導通。在孔91Aa與引線94A、94B的間隙中,填充有低融點玻璃97。引線94C與基座91A的下面相接合。
以覆蓋塊體91B的方式設置有罩(cover)95。雖然在罩95的上部形成有開口95a,但是該開口95a由玻璃板96所遮擋。玻璃板96構成為使從半導體激光元件92射出的激光透過。罩95的邊緣通過電阻焊接與基座91A相接合。
如果采用上述構成,則由基座91A與罩95所劃出的空間相對半導體激光裝置X外的空間保持氣密。因此,該半導體激光裝置X即使在濕度高的環境中使用,也能夠防止半導體激光元件92周圍的濕度變高,進而能夠保護半導體激光元件92。
近年來,在CD-R等記錄介質中,訪問速度變得高速化。因此,輸出光強度大的半導體激光裝置變得必要。特別是在作為CD-R/RW或DVD-R/RW等的寫入用光源的用途中,要求較大的輸出光強度。
如果增加半導體激光裝置的輸出光強度,則伴隨發生半導體激光元件發熱量增加。但是,在上述半導體激光裝置X的情況下,半導體激光元件92被配置在由基座91A和罩95所劃分出的具有高氣密性的空間內。因此,無法使在半導體激光元件92中產生的熱量充分地逃逸到外部氣氛中。其結果,存在著因半導體激光元件92的溫度過度上升而變得無法從半導體激光元件92適當地射出激光。
發明內容
本發明是基于上述情況而提出的,本發明的課題在于提供一種具有高散熱性并且輸出光強度大的半導體激光裝置。此外,本發明的另一個課題在于提供這種半導體激光裝置的制造方法。
為了解決上述課題,本發明提出以下的技術方案。
根據本發明的第一方面提供一種半導體激光裝置,包括:基座,固定在該基座上的塊體,以及設置在該塊體上的半導體激光元件。而且,該半導體激光裝置還包括:貫通上述基座并且與上述半導體激光元件導通的引線,以及固定在上述基座上并且構成為包圍上述半導體激光元件和上述引線的一端部的罩。在該罩上形成有在從上述半導體激光元件射出的激光的射出方向上插通(開通)的開口。因此,上述罩在上述射出方向上開放。
如果采用這種構成,則由上述罩和上述基座所包圍的空間通過上述開口與該半導體激光裝置的外部相通,不成為密閉的空間。因此,即使因上述半導體激光裝置的使用而引起上述半導體激光元件發熱,也能夠從上述開口使這些熱量向上述半導體激光裝置的外部散發。因而,能夠抑制上述半導體激光元件過渡地成為高溫,在應用于CD-R/RW等寫入用光源的情況下,能夠對應訪問速度的高速化而適當地增加輸出光強度。
優選形成為上述基座和上述塊體由同一材料組成的一體形成結構。如果采用這種構成,則可以提高上述塊體與上述基座之間的熱傳遞性。因此,來自上述半導體激光元件的熱量不僅能夠從上述開口散發,而且還能夠經由上述塊體向上述基座傳播。
優選上述基座和上述塊體由Cu和Cu合金的任一方組成。這種構成能夠使上述基座和上述塊體具有較高的熱傳導率,適于抑制上述半導體激光元件的溫度上升。
優選上述引線通過樹脂被固定在上述基座上。如果采用這種構成,則能夠使上述引線與上述基座機械接合的同時保持電氣絕緣。此外,例如在利用玻璃進行固定的情況下,在燒制時有必要1000℃以上的高溫。與此相對,在利用樹脂進行固定的情況下,能夠在200~300℃左右的較低溫度下進行燒制。因而,即使在該燒制前,對上述基座和上述塊體實施鍍Au處理,也不存在燒制工序侵蝕該Au鍍層的危險。如果采用本發明,則也可以進行鍍Au以外的鍍層處理,此外,也可以實施其他種種的表面處理。
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