[發明專利]半導體激光裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200680002145.9
• 申請日: 2006-01-05
• 公開（公告）號: CN101103502A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 山本剛司
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01S5/022
• 分類號: H01S5/022
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種半導體激光裝置，其特征為，包括：

基座；

固定在所述基座上的塊體；

設置在所述塊體上的半導體激光元件；

貫通所述基座并且與所述半導體激光元件導通的引線；以及

固定在所述基座上并且構成為包圍所述半導體激光元件和所述引線的一端部的罩，其中，

在所述罩上形成有在從所述半導體激光元件射出的激光的射出方向上插通的開口，所述罩形成為在所述射出方向上開放的結構。

2.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征為：

形成為所述基座和所述塊體由同一材料組成的一體形成的結構。

3.如權利要求2所述的半導體激光裝置，其特征為：

所述同一材料是Cu和Cu合金的任一方。

4.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征為：

所述引線通過樹脂固定在所述基座上。

5.如權利要求4所述的半導體激光裝置，其特征為：

所述樹脂是熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂和硅樹脂中任一種。

6.如權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征為：

所述熱固化性樹脂是環氧樹脂，所述熱可塑性樹脂是對聚苯硫醚樹脂、聚鄰苯二甲酰胺樹脂和液晶聚酯樹脂中的任一種，所述硅樹脂是混入有二氧化硅粉末的樹脂。

7.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征為：

對所述基座和所述塊體實施鍍Ni/Pd/Au處理和鍍Ni/Au處理的任一種。

8.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征為：

所述半導體激光元件是高耐濕型半導體激光元件。

9.一種半導體激光裝置的制造方法，其特征為，包括：

形成包含基座和固定在該基座上的塊體的立柱的工序；

使引線貫通設置在所述基座上的孔并使其固定的工序；以及

將半導體激光元件搭載在所述塊體上的工序，其中，

在所述形成立柱的工序中，所述基座與所述塊體一體形成。

10.如權利要求9所述的半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

所述立柱通過使用Cu和Cu合金任一方的冷鍛加工來形成。

11.如權利要求9所述的半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

所述引線通過樹脂而被固定在所述孔內。

12.如權利要求11所述的半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

所述樹脂是熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂和硅樹脂中的任一種。

13.如權利要求12所述半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

所述熱固化性樹脂是環氧樹脂，所述熱可塑性樹脂是對聚苯硫醚樹脂、聚鄰苯二甲酰胺樹脂或液晶聚酯樹脂中的任一種，所述硅樹脂是混入有二氧化硅粉末所的樹脂。

14.如權利要求9所述的半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

還包括在形成所述立柱的工序后、固定所述引線的工序前，對所述立柱實施鍍Ni/Pd/Au處理和鍍Ni/Au處理的任一種的工序。

15.如權利要求9所述的半導體激光裝置的制造方法，其特征為：

還包括在固定所述引線的工序前，對所述引線實施鍍Au處理的工序。