[實用新型]發光二極管的結構改良

無效

• 申請號: 200620175515.6
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN200993968Y
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 張正興;謝榮修;陳國湖;李敏麗
• 申請（專利權）人: 鑫電光科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/00;H01L23/498
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司
• 代理人: 周春發

1、一種發光二極管的結構改良，其特征在于，其至少包含有：

一陶瓷底座，具有一可供容置金屬反射層以及發光芯片的承載部；

至少一金屬反射層，印刷于該承載部上，各金屬反射層間形成有分隔部；

至少一發光芯片，設置于該承載部中，并與各金屬反射層形成電性連接；

封裝體，封裝于承載部中。

2、如權利要求1所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該承載部為凹杯狀結構體，其具有底部及側壁。

3、如權利要求2所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該金屬反射層由底部延伸于側壁上，其分隔部同樣由底部延伸于側壁上。

4、如權利要求1所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該陶瓷底座形成有貫穿上、下表面的貫穿部。

5、如權利要求4所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該貫穿部設于陶瓷底座的邊側。

6、如權利要求4或5所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該金屬反射層由該承載部延伸至貫穿部。

7、如權利要求6所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該金屬反射層上方設置保護層。

8、如權利要求7所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該保護層設置異于承載部表面的金屬反射層上。

9、如權利要求7所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該保護層為印刷方式設置于金屬反射層上。

10、如權利要求2所述發光二極管的結構改良，其特征在于，該承載部的底部形成有貫穿上、下表面的貫孔，其貫孔中可設有導熱體。