[實用新型]高壓功率集成電路隔離結構無效

申請號：	200620165096.8	申請日：	2006-12-15
公開（公告）號：	CN200993963Y	公開（公告）日：	2007-12-19
發明（設計）人：	易揚波;徐申;李海松;孫偉鋒;夏曉娟;李杰;時龍興	申請（專利權）人：	東南大學
主分類號：	H01L27/092	分類號：	H01L27/092;H01L27/04
代理公司：	南京經緯專利商標代理有限公司	代理人：	陸志斌
地址：	21009***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	高壓功率集成電路隔離結構
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【權利要求書】：

1、一種高壓功率集成電路隔離結構，包括：P型襯底(1)，在P型襯底(1)設有N型外延(2)，在N型外延(2)上設有2塊場氧化層(3、4)，其特征在于在N型外延(2)上設有重摻雜N型區(5)且該重摻雜N型區(5)位于2塊場氧化層(3、4)之間，在N型外延(2)內設有2個P型隔離阱(6、7)，該2個P型隔離阱(6、7)分別位于2塊場氧化層(3、4)的下方，并且該2個P型隔離阱(6、7)將N型外延(2)分隔成3塊，上述重摻雜N型區(5)位于2個P型隔離阱(6、7)之間，在2個P型隔離阱(6、7)的上端分別設有重摻雜P型區(8、9)，上述重摻雜N型區(5)及重摻雜P型區(8、9)與零電位相連接。

2、根據權利要求1所述的高壓功率集成電路隔離結構，其特征在于在場氧化層(3、4)、重摻雜P型區(8、9)及重摻雜N型區(5)上設有介質層(10)，在介質層(10)設有接零電位金屬(11)且該接零電位金屬(11)與重摻雜N型區(5)及重摻雜P型區(8、9)連接。

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