[實用新型]一種預防曝光后烘烤過程中晶片傾斜的系統

無效

• 申請號: 200620160762.9
• 申請日: 2006-11-22
• 公開（公告）號: CN201007781Y
• 公開（公告）日: 2008-01-16
• 發明（設計）人: 陳耀
• 申請（專利權）人: 和艦科技(蘇州)有限公司
• 主分類號: G03F7/40
• 分類號: G03F7/40;H01L21/027
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司
• 代理人: 王光輝

技術領域

本實用新型涉及半導體工藝領域，特別是一種預防曝光后烘烤過程中晶片傾斜的系統。

背景技術

對于深紫外線(deep?ultraviolet，簡稱DUV)的光阻，是否能夠準確地進行曝光后烘烤，對解析度(Critical?Dimension，簡稱CD)的精確度有著至關重要的影響。如果晶片在曝光后烘烤(post?exposure?bake，以下簡稱PEB)時斜跨于熱板，則會使整片晶片受熱不均。被抬高的部分溫度偏低，光酸得不到充分反應，就會在顯影后無法形成準確的線寬，產生半片性的顯影不良，可能導致產品報廢。

發明內容

本實用新型的目的是為了解決因晶片在PEB時斜跨于熱板，使整片晶片受熱不均，最終導致產品報廢的問題。為實現上述目的，本實用新型提供一種預防曝光后烘烤過程中晶片傾斜的系統，其可以對晶片在熱板上的位置是否正確進行預防和探測，從而幫助晶片定位，減少顯影不良的情況，提高合格率。

本實用新型的一種預防曝光后烘烤過程中晶片傾斜的系統，包括傳送臂，熱板，安裝于熱板上方的可移動的冷板，可升降的三腳支架，多個熱板晶片導引器，安裝在上述熱板上，還包括：

多個冷板晶片導引器，安裝在上述冷板上；

上述冷板晶片導引器為柱狀，頂端為光滑拋物面。

上述預防曝光后烘烤過程中晶片傾斜的系統還可以具有多個光敏元件，安裝在上述冷板上，上述多個光敏元件用來探測晶片的斜跨；如果安裝了上述光敏元件，上述冷板晶片導引器的高度應當大于上述光敏元件的高度，當然也就大于已有技術的冷板晶片導引器的高度，以便上述多個光敏元件探測晶片的斜跨，如果安裝了上述光敏元件，則還應當包括報警裝置。

上述光敏元件的安裝位置使得當上述晶片斜跨在上述晶片導引器上，且斜跨部分過大導致晶片導引器無法幫助晶片定位時，上述光敏元件會由于晶片遮擋住光路時而觸發導通，讓上述報警裝置發出警報。

上述冷板上開有一條長狹縫與一條短狹縫，其位置使得上述冷板移動到上述熱板上方時，上述三腳支架的一只腳位于上述短狹縫中，上述三腳支架的另兩只腳位于上述長狹縫中。

本實用新型可以幫助晶片在曝光后烘烤時準確定位，避免由于整片晶片受熱不均而產生半片性的顯影不良，提高晶片生產的合格率。

為讓本實用新型之上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本實用新型的系統的一較佳實施例的熱板的示意圖。

圖2為本實用新型的系統的一較佳實施例的熱板晶片導引器的示意圖。

圖3為本實用新型的系統的一較佳實施例的冷板和熱板的主視圖。

圖4a為公知的冷板晶片導引器的示意圖。

圖4b為本實用新型的系統的一較佳實施例的冷板晶片導引器的示意圖。

圖5為晶片斜跨于熱板的示意圖。

圖6為公知的冷板和熱板的俯視圖。

圖7為本實用新型的系統的一較佳實施例的冷板和熱板的俯視圖。

具體實施方式

晶片51在曝光后烘烤時受熱不均的現象一般由于晶片51定位不準確而產生的。如果晶片51如圖5所示，在曝光后烘烤時斜跨于熱板，就會使整個晶片受熱不均，被抬高的部分溫度偏低。

本實用新型的系統的一較佳實施例如圖7所示，包括傳送臂(圖中未示)，熱板12，安裝于熱板上方的可移動的冷板34，可升降的三腳支架31，多個熱板晶片導引器11，多個冷板晶片導引器32，以及報警裝置(圖中未示)。

上述熱板晶片導引器11安裝于上述熱板12的邊緣處，如圖1所示。上述熱板晶片導引器11可以是塔狀，如圖2所示。

上述冷板34的圖中右側開有一長一短兩條狹縫在冷板34移動到上述熱板12上方時，上述三腳支架31的一只腳位于上述短狹縫61中，上述三腳支架31的另兩只腳位于上述長狹縫62中。

如圖3所示，上述多個冷板晶片導引器32，安裝在上述冷板34上，其高度高于上述光敏元件33。上述多個光敏元件33安裝在上述冷板34的邊緣，用來及時探測到晶片51的斜跨。對上述光敏元件33的數目沒有特別的限制，但是最好是如圖3所示的兩對。

三腳支架31可上下移動地通過熱板12安裝，用于支撐晶片51。