[實用新型]電壓控制的半導體結構、電阻器

無效

• 申請號: 200620135593.3
• 申請日: 2006-10-16
• 公開（公告）號: CN200983367Y
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 蔣秋志;黃志豐
• 申請（專利權）人: 崇貿科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/00
• 分類號: H01L29/00;H01L29/8605
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 任永武

1.一種半導體結構，其特征在于包含：

一基板，摻雜一第一型離子；

一第一摻雜阱區，具有一第二型離子，且形成于該基板中；以及

一第二摻雜阱區，具有一第二型離子，該第一型離子與該第二型離子互補，且第二摻雜阱區形成于該基板中；

其中，該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區之間形成一電阻器，該電阻器的電阻率與該第一摻雜阱區的一第一深度、該第二摻雜阱區的一第二深度及該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區之間的一距離相關；以及該電阻器的電阻率高于在具有該第二型離子的單一個摻雜阱區中所形成的阱區式電阻器的電阻率。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于該第一摻雜阱區及第二摻雜阱區是分裂的，而由該第一摻雜阱區和該基板及由該第二摻雜阱區和該基板所分別形成的二耗盡區連接；且該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區之間的該距離是根據該第一摻雜阱區的一第一離子濃度、該第二摻雜阱區的一第二離子濃度和該基板的一第三離子濃度而設定。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于該第一摻雜阱區與第二摻雜阱區是準連結的，而當施于該電阻器的一差動電壓增高時，該第一與第二摻雜阱區間的連結中斷；且該第一摻雜阱區與該第二摻雜阱區間的該距離，是根據該第一摻雜阱區的一第一離子濃度、該第二摻雜阱區的一第二離子濃度和該基板的一第三離子濃度而設定。

4.一種電壓控制的電阻器，其特征在于包含二連接端分別連接于在一基板中形成的二摻雜阱區，該基板具有一第一型離子，這些摻雜阱區具有一互補的第二型離子，其中該二連接端分別連接于一高電壓及一低電壓，且這些摻雜阱區是分裂的。

5.根據權利要求4所述的電壓控制的電阻器，其特征在于當該高電壓與該低電壓的電壓差造成這些摻雜阱區之間貫穿后，該電阻器的電阻率減小。

6.根據權利要求4所述的電壓控制的電阻器，其特征在于每一這些摻雜阱區的離子濃度范圍是每平方厘米自1E12至5E13。

7.根據權利要求4所述的電壓控制的電阻器，其特征在于每一這些摻雜阱區的深度范圍是自2微米至10微米。

8.一種電壓控制的電阻器，其特征在于包含二連接端分別連接于在一基板中形成的二摻雜阱區，該基板具有一第一型離子，這些摻雜阱區具有一互補的第二型離子，其中該二連接端分別連接于一高電壓及一低電壓，且這些摻雜阱區是準連結的。

9.根據權利要求8所述的電壓控制的電阻器，其特征在于當該高電壓與該低電壓之差造成這些摻雜阱區之間夾止后，該電阻器的電阻率增大。

10.根據權利要求8所述的電壓控制的電阻器，其特征在于每一這些摻雜阱區的離子濃度范圍是每平方厘米自1E12至5E13。

11.根據權利要求8所述的電壓控制的電阻器，其特征在于每一這些摻雜阱區的深度范圍是自2微米至10微米。

12.一種半導體結構，其特征在于包含：

一基板；及

一阱區，具有一裂口，且形成于該基板中，其中該基板與該阱區的離子型態是互補的；

其中，根據施于該阱區的差動電壓改變一耗盡區，以控制該半導體結構的電阻率。