[實(shí)用新型]電壓控制的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、電阻器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620135593.3
• 申請日: 2006-10-16
• 公開（公告）號(hào): CN200983367Y
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣秋志;黃志豐
• 申請（專利權(quán)）人: 崇貿(mào)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/00
• 分類號(hào): H01L29/00;H01L29/8605
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 任永武

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種電壓控制的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、電阻器，尤其是一種電壓控制的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及具有高電阻率的電阻器。

背景技術(shù)

具有高電阻率的電阻器廣泛地被使用于許多電子產(chǎn)品中。當(dāng)今，有二種主要的途徑來制造具有高電阻率的電阻器。其一是使用非摻雜的多晶硅作為電阻器。此型電阻器的電阻率約為1仟?dú)W姆/單位面積。此途徑的優(yōu)點(diǎn)在于其所生產(chǎn)的電阻器的尺寸較小。然而，其制造過程中使用了額外的光掩模及工藝，頗費(fèi)成本。

另一途徑是以一微摻雜阱區(qū)制造電阻器。以此途徑制造的電阻器的最高電阻率約為10仟?dú)W姆/單位面積。既然具有較高摻雜濃度的阱區(qū)的電阻器呈現(xiàn)較低的電阻率，則可借助不同的阱區(qū)離子濃度來控制電阻器的電阻率。然而，所制作的電阻器尺寸仍大。

該二途徑皆有另一共同缺點(diǎn)，亦即兩種電阻器一旦制成，其電阻率都不能調(diào)整。

綜上所述，現(xiàn)今二種途徑皆存在關(guān)鍵性的問題，因而限制電阻器在電路系統(tǒng)中的應(yīng)用。因此，如何來同時(shí)克服該二問題是本實(shí)用新型的重點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種電阻率可調(diào)的且制作工藝成本低的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及電阻器。

本實(shí)用新型的解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基板、一第一摻雜阱區(qū)及一第二摻雜阱區(qū)。該基板摻雜一第一型離子。該第一摻雜阱區(qū)具有一第二型離子，且形成于該基板中。

該第二摻雜阱區(qū)具有一第二型離子，且形成于該基板中。該第一型離子與該第二型離子是互補(bǔ)的。該第一摻雜阱區(qū)與該第二摻雜阱區(qū)之間形成一電阻器。該電阻器的電阻率與該第一摻雜阱區(qū)的一第一深度、該第二摻雜阱區(qū)的一第二深度及該第一摻雜阱區(qū)與該第二摻雜阱區(qū)之間的一距離相關(guān)。該電阻器的電阻率高于在具有該第二型離子的單一個(gè)摻雜阱區(qū)中所形成的阱區(qū)式電阻器的電阻率。

本實(shí)用新型的解決其技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供一種電壓控制的電阻器。該電壓控制的電阻器包含二連接端分別連接于在一基板中形成的二摻雜阱區(qū)的連接端。該基板具有一第一型離子。這些摻雜阱區(qū)具有一互補(bǔ)的第二型離子。該二連接端分別連接于一高電壓及一低電壓。這些摻雜阱區(qū)是分裂的。

本實(shí)用新型的解決其技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供一種電壓控制的電阻器。該電壓控制的電阻器包含二連接端分別連接于在一基板中形成的二摻雜阱區(qū)。該基板具有一第一型離子。這些摻雜阱區(qū)具有一互補(bǔ)的第二型離子。該二連接端分別連接于一高電壓及一低電壓。這些摻雜阱區(qū)是準(zhǔn)連結(jié)的。

本實(shí)用新型的解決其技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基板及一阱區(qū)，該阱區(qū)形成于該基板中，且具有一裂口。該基板與該阱區(qū)的離子是互補(bǔ)的。在該阱區(qū)與該基板之間，根據(jù)一施于該阱區(qū)的差動(dòng)電壓而調(diào)變一耗盡區(qū)，以控制該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電阻率。

本實(shí)用新型的有益效果是，可以提供一種電壓控制的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及具有高電阻率的電阻器。

在參閱附圖及隨后描述的實(shí)施方式后，該技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者便可了解本實(shí)用新型的上述和其他的目的，以及本實(shí)用新型的技術(shù)手段及實(shí)施態(tài)樣。

附圖說明

圖1繪示本實(shí)用新型的一第一具體實(shí)施例；

圖2繪示本實(shí)用新型的一第二具體實(shí)施例；

圖3繪示本實(shí)用新型的二電阻器實(shí)施例的二電阻率對(duì)電壓曲線；及

圖4繪示本實(shí)用新型二電阻器實(shí)施例的二電流對(duì)電壓曲線。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型是關(guān)于一種電壓控制的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及具有高電阻率的電阻器。更具體地說，本實(shí)用新型是提供途徑來產(chǎn)生小尺寸電阻器而無額外的工藝及成本。此外，本實(shí)用新型所產(chǎn)生的電阻器的電阻率可借助施于這些電阻器的差動(dòng)電壓來控制。

圖1示出本實(shí)用新型的一第一具體實(shí)施例，其為一電壓控制的電阻器。該電阻器包含一P基板11及二深N阱區(qū)12及13。二N+區(qū)17及18分別形成于該二深N阱區(qū)12及13中，作為該電阻器的端點(diǎn)。該二深N阱區(qū)12及13是形成于該P(yáng)基板11，且是分裂的。在該二深N阱區(qū)12及13之間形成一等效電阻器14。該深N阱區(qū)12和該P(yáng)基板11間形成一耗盡區(qū)15，其邊界是由二條虛線示出。同理，該深N阱區(qū)13和該P(yáng)基板11間形成一耗盡區(qū)16，其邊界是由二條虛線示出。該二耗盡區(qū)15與16是連接的。