[實用新型]半導體裝置及電壓夾止裝置

無效

• 申請號: 200620122249.0
• 申請日: 2006-07-06
• 公開（公告）號: CN200990378Y
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 蔣秋志;黃志豐;伍佑國;林隆世
• 申請（專利權）人: 崇貿科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/772
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種半導體裝置，其特征是包括具有摻雜分布的阱，所述阱包括其相對位置隨電壓變化而變化的一第一耗盡邊界和一第二耗盡邊界，其中當所述第一耗盡邊界和所述第二耗盡邊界夾止時，由一電壓電勢所控制的一最大輸出電壓電勢在所述半導體裝置的一輸出端子處輸出。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征是所述阱包含與所述半導體裝置的表面平行的一不連續離子摻雜區。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征是所述不連續離子摻雜區具有一寬度，所述寬度與最大輸出電壓電勢相關。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征是具有互補于所述阱的摻雜極性的一互補摻雜區，所述互補摻雜區與最大輸出電壓電勢相關。

5.一種電壓夾止裝置，包含一輸入端子、一輸出端子和一控制端子，其特征是所述輸入端子經由一準連接阱連接到所述輸出端子，所述控制端子連接到具有互補于所述準連接阱的摻雜極性的一控制阱，在所述準連接阱下的一區具有互補于所述準連接阱的摻雜極性，其中所述準連接阱包括其相對位置隨電壓變化而變化的一第一耗盡邊界和一第二耗盡邊界，當所述第一耗盡邊界和所述第二耗盡邊界夾止時，所述控制端子處的一電壓電勢所控制的一最大輸出電壓電勢會透過所述輸出端子處輸出。

6.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述控制阱的一摻雜濃度與所述最大輸出電壓電勢相關。

7.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述準連接阱具有與所述控制阱平行的一不連續離子摻雜區。

8.根據權利要求7所述的電壓夾止裝置，其特征是所述不連續離子摻雜區的尺寸與所述最大輸出電壓電勢相關。

9.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是具有互補于所述準連接阱的摻雜極性的一邊緣阱將所述準連接阱圍起，其中所述邊緣阱與所述準連接阱彼此未直接連接。

10.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述控制阱的摻雜濃度范圍是從3.3×10¹⁷/cm³到1×10¹⁹/cm³。

11.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述準連接阱的摻雜濃度范圍是從1.7×10¹⁷/cm³到8.3×10¹⁸/cm³。

12.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述準連接阱的深度范圍是從2μm到10μm。

13.根據權利要求5所述的電壓夾止裝置，其特征是所述控制阱的深度范圍是從1μm到5μm。

14.根據權利要求7所述的電壓夾止裝置，其特征是平行于所述控制阱的所述不連續離子摻雜區的寬度范圍是介于0μm到20μm之間。

15.根據權利要求9所述的電壓夾止裝置，其特征是所述邊緣阱的摻雜濃度范圍是從3.3×10¹⁷/cm³到1×10¹⁹/cm³。

16.根據權利要求9所述的電壓夾止裝置，其特征是所述邊緣阱的深度范圍是從1μm到5μm。