[實用新型]半導(dǎo)體裝置及電壓夾止裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200620122249.0 | 申請日: | 2006-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN200990378Y | 公開(公告)日: | 2007-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣秋志;黃志豐;伍佑國;林隆世 | 申請(專利權(quán))人: | 崇貿(mào)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04;H01L29/772 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波;侯宇 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 電壓 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體裝置及電壓夾止裝置,更確切地說,本實用新型涉及降壓裝置。
背景技術(shù)
在傳統(tǒng)技術(shù)中,將一較高電壓電勢降到一較低電壓電勢已廣為業(yè)界所熟知。如分壓器和變壓器等降壓裝置便廣泛地應(yīng)用于提供電子系統(tǒng)一預(yù)定的電壓電勢。變壓器包括多個彼此耦合且匝數(shù)成比例的線圈以實現(xiàn)降壓。然而,一般的變壓器尺寸巨大且不易與半導(dǎo)體裝置集成。因此,其較高的制造成本與巨大的占用空間亦成為其必然的缺點。
另外,傳統(tǒng)技術(shù)中由電阻器組成的分壓器通常必須考慮電阻變化問題。電阻器的溫度依賴性造成了分壓器所供應(yīng)的電壓電勢的精度降低。然而,電阻器所引起的功耗則是另一需要考慮的問題。在通用的應(yīng)用中,需要一恒定的電壓源供應(yīng)電子電路時,一足以供應(yīng)穩(wěn)定的電壓電勢且占用較小晶粒空間與低功耗的裝置將為業(yè)界所渴求。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置,利用其相對位置隨電壓變化而變化的第一耗盡邊界和第二耗盡邊界,來產(chǎn)生一穩(wěn)定的最大輸出電壓電勢,并藉此提升半導(dǎo)體裝置的成本效益。
本實用新型的目的在于提供一種電壓夾止裝置,利用由一電壓電勢所控制的第一耗盡邊界和第二耗盡邊界,來產(chǎn)生與所述電壓電勢成比例的一最大輸出電壓電勢,并藉此提高最大輸出電壓電勢的精確度。
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體裝置,其特征是包括具有摻雜分布的阱,所述阱包括其相對位置隨電壓變化而變化從的一第一耗盡邊界和一第二耗盡邊界,其中當所述第一耗盡邊界和所述第二耗盡邊界夾止時,由一電壓電勢所控制的一最大輸出電壓電勢在所述半導(dǎo)體裝置的一輸出端子處輸出。
本實用新型還涉及一種電壓夾止裝置,包含一輸入端子、一輸出端子和一控制端子,其特征是所述輸入端子經(jīng)由一準連接阱連接到所述輸出端子,所述控制端子連接到具有互補于所述準連接阱的摻雜極性的一控制阱,在所述準連接阱下的一區(qū)具有互補于所述準連接阱的摻雜極性,其中所述準連接阱包括其相對位置隨電壓變化而變化的一第一耗盡邊界和一第二耗盡邊界,當所述第一耗盡邊界和所述第二耗盡邊界夾止時,所述控制端子處的一電壓電勢所控制的一最大輸出電壓電勢會透過所述輸出端子處輸出。
本實用新型提出一種利用由兩個耗盡邊界形成一夾止機制的電壓夾止裝置。電壓夾止裝置的一夾止電壓可依據(jù)下列參數(shù)來調(diào)整:(1)一柵極電壓、(2)一準連接阱的一間隙、(3)準連接阱的摻雜濃度及深度以及(4)具有與準連接阱摻雜極性互補的一阱之摻雜濃度及深度。電壓夾止裝置具有微型尺寸且可與半導(dǎo)體裝置集成以作為降壓裝置。
準連接阱經(jīng)由控制兩個相鄰阱之間的一距離而形成。具有與兩個相鄰阱不同的摻雜濃度的一中間摻雜區(qū)形成于所述兩個相鄰阱之間。
中間摻雜區(qū)與互補于準連接阱的多個互補摻雜區(qū)形成兩個耗盡邊界。兩個耗盡邊界依據(jù)柵極電壓和施加到準連接阱的電壓電勢而變化。準連接阱的電阻、電壓和電流的變化由兩個耗盡邊界和施加到準連接阱的電壓電勢來控制。
根據(jù)本實用新型,電壓夾止裝置的輸出電壓經(jīng)由控制以被夾止維持于一預(yù)定電壓電勢,因此電壓夾止裝置可作為半導(dǎo)體裝置中之微型降壓裝置。在一般應(yīng)用中,本實用新型可提供一種極具成本效益且精確的降壓裝置。
應(yīng)理解,前述一般性描述和以下詳細描述均為示范性的,且希望對所主張的本實用新型提供進一步闡釋。根據(jù)隨后描述和圖式將容易明了更進一步的目標和優(yōu)點。
附圖說明
隨附的圖式提供對本實用新型的進一步了解,且并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖說明了本實用新型的實施例,且與描述一起用來闡釋本實用新型的原理。
圖1展示根據(jù)本實用新型一實施例的電壓夾止裝置的橫截面圖。
圖2展示根據(jù)本實用新型實施例的在不同柵極電壓電勢下的電壓夾止裝置的兩個耗盡邊界。
圖3展示根據(jù)本實用新型實施例,電壓夾止組件的輸入電壓和輸出電壓在施予不同柵極電壓電勢下的特征性質(zhì)。
具體實施方式
圖1展示根據(jù)本實用新型實施例的一電壓夾止裝置100的橫截面圖。電壓夾止裝置100包含電阻率范圍為10ohm-cm到100ohm-cm的一P型襯底90。如圖1中所示,一準連接N型阱210由P型襯底90中的兩個相鄰N型阱形成,其特征為所述兩個相鄰N型阱之間有一寬度G的一間隙。利用間隙可在一中間摻雜區(qū)II中形成一不連續(xù)的離子摻雜區(qū)。不連續(xù)的離子摻雜區(qū)平行于P型襯底90的表面。其中中間摻雜區(qū)II的等效摻雜濃度小于區(qū)I和III。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





