[實用新型]真空腔的改進結構無效
| 申請號: | 200620119833.0 | 申請日: | 2006-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN200983358Y | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | 劉相賢 | 申請(專利權)人: | 聯萌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/00;C23F4/00;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 謝麗娜;陳肖梅 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空腔 改進 結構 | ||
技術領域
本實用新型為一種半導體制造過程中的器具,尤其設計一種真空腔的改進結構,該結構用于半導體機臺,便于晶圓的定位。
背景技術
一般而言,蝕刻或沉積等晶圓半導體制程需進行于真空腔中,其中晶圓設置于真空腔中的載盤上。如圖1A所示現有技術的真空腔10,其中包括晶圓11與載盤12,而載盤12的頂面122為一平坦面,此處真空腔10用于晶圓11的蝕刻制程。而圖1B圖所示為另一現有技術的真空腔20,其中包括晶圓21與載盤22,而載盤22的頂面222具有一環狀凹槽223,此處真空腔20用于晶圓21的沉積制程。在沉積制程時,載盤22上特設有環狀凹槽223,為了當進行晶圓21的沉積制程時,讓多余的沉積物堆積于環狀凹槽223內,而避免堆積于晶圓之側壁213或背部。因經過同一機臺進行晶圓制程之前后片晶圓,并不會完全對準在同一位置,故后片晶圓可能會有部分邊緣落在前片晶圓側邊的沉積物之上,造成污染后片晶圓的晶背。
由上可知,環狀凹槽223屬于沉積制程機臺所需的特殊結構,但就設備供貨商的角度而言,如果沉積制程機臺與蝕刻制程機臺的載盤能夠共用,則顯然可以節省制造成本。因此在現有技術的半導體蝕刻機臺中,并不特別使用具有平坦頂面122的載盤12,而使用具有環狀凹槽223的載盤22。其缺點是,在蝕刻機臺中,晶圓定位較不精密。一般而言,晶圓由機械手臂送入機臺真空腔內后,是放置在數個支持銷(未示出)上,然后隨著支持銷的下降,而落入預定位置。但在上述現有技術的半導體蝕刻機臺中,于橫向偏離較大的情況下,或支持銷校準不良時,有可能產生歪斜的情形、或是造成破片。
發明內容
有鑒于此,本實用新型之目的在于提供一種用于半導體機臺,便于晶圓定位的真空腔的改進結構,其中所使用的載盤,可以共用于沉積制程機臺與蝕刻制程機臺,當用于蝕刻制程機臺時,可提供較精準的晶圓定位。
根據此實用新型,提供一種真空腔的改進結構,其中包括一制程室、一承載裝置、一晶圓載盤、以及一繞環。承載裝置設置于制程室內。晶圓載盤設置于承載裝置上,且晶圓載盤之頂面具有一環狀凹槽。繞環為選擇性地設置于環狀凹槽中。
通過上述技術特征,本實用新型具有的有益效果為:本實用新型的沉積制程機臺與蝕刻制程機臺的載盤能夠共用,則顯然可以節省制造成本,另外,在蝕刻制程時可以解決晶圓定位不精準的問題。
附圖說明
圖1A顯示現有技術的真空腔示意圖;
圖1B顯示另一現有技術的真空腔示意圖;
圖2A為真空腔的改進結構前視圖;
圖2B為真空腔的改進結構上視圖;
圖3A為繞環的前視圖;
圖3B為繞環的上視圖。
圖中符號說明
10現有技術的真空腔;????????????11晶圓;
12載盤;????????????????????????122頂面;
20現有技術的真空腔;????????????21晶圓;
22載盤;????????????????????????222頂面;
223環狀凹槽;???????????????????213側壁;
30真空腔的改進結構;????????????31晶圓;
32晶圓載盤;?????????????322頂面;
323環狀凹槽;????????????33制程室;
34承載裝置;?????????????35繞環;
351基部;????????????????352凸出部;
353內縮斜面。
具體實施方式
參照圖2A、2B,圖2A、2B分別為根據本實用新型所提供的一種真空腔的改進結構30前視圖與上視圖,其中包括一制程室33、一承載裝置34、一晶圓載盤32、以及一繞環35。制程中的晶圓31設置于晶圓載盤32上。承載裝置34設置于制程室33內。晶圓載盤32設置于承載裝置34上,且晶圓載盤32之頂面322具有一環狀凹槽323。繞環35則為選擇性地設置于環狀凹槽323中。
進一步說明,制程室33為一晶圓蝕刻制程室或一晶圓沉積制程室,可于其中進行晶圓蝕刻或沉積等半導體制程。當進行一晶圓沉積制程時,繞環35未設置于環狀凹槽323中,而是露出環狀凹槽323,環狀凹槽323的功能是用以收納多余沉積反應物,以避免反應物堆積于晶圓31之側壁、或后片晶圓之背部。而當進行一晶圓蝕刻制程時,此時環狀凹槽323并不需要露出,便可將繞環35設置于環狀凹槽323中,并提供引導晶圓31定位之功能。
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