[實用新型]真空腔的改進結構

無效

• 申請號: 200620119833.0
• 申請日: 2006-08-02
• 公開（公告）號: CN200983358Y
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發明（設計）人: 劉相賢
• 申請（專利權）人: 聯萌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/20;H01L21/00;C23F4/00;C23C14/50;C23C16/458
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 謝麗娜;陳肖梅

1.一種真空腔的改進結構，其中包括：

一制程室；

一承載裝置，設置于該制程室內；

一晶圓載盤，設置于該承載裝置上，其特征在于，該晶圓載盤具有一環狀凹槽；

一繞環，選擇性地設置于該環狀凹槽中。

2.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該制程室為一晶圓蝕刻制程室或一晶圓沉積制程室。

3.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該承載裝置是一種可以移動該晶圓載盤于一制程定位與一移載定位之間的裝置。

4.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該環狀凹槽為一封閉環狀之凹槽。

5.如權利要求4所述的真空腔的改進結構，該結構用于一晶圓蝕刻制程時，其特征在于，該繞環設置于該環狀凹槽中。

6.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該繞環具有具有一基部與一凸出部，該基部與該環狀凹槽組配之封閉環狀幾何外型。

7.如權利要求6所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該凸出部之內側包括一內縮斜面，具有晶圓定位之功能。

8.如權利要求7所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該內縮斜面與垂直線間的夾角在30-60度之間。

9.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該繞環采用氬濺鍍制程不易受損的材質，該材質包括純鋁、表面硬化處理的鋁、鋁合金、或聚酰亞胺材質。

10.如權利要求1所述的真空腔的改進結構，其特征在于，該晶圓載盤具有數個環狀凹槽，并有對應該數目的繞環選擇性地設置于該等環狀凹槽中。