[實用新型]晶圓表面淀積層生長裝置無效
| 申請號: | 200620047810.3 | 申請日: | 2006-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN201016122Y | 公開(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發明(設計)人: | 代洪剛;馮春暖 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/00 | 分類號: | C23C16/00;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 淀積層 生長 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及晶圓制程裝置,尤其涉及淀積層生長制程中的裝置。
背景技術
晶圓制造工藝中,通常涉及到一道在晶圓表面上生長淀積層的制程,目前使用的生長淀積層的裝置如圖1所示。該裝置包括氣體分離器1,加熱帶2,兩個射頻(RF)帶3,底座4及設置在底座上表面兩端的兩個固定塊5。晶圓(未圖示)放置在加熱帶2上,氣體分離器用于產生在晶圓表面生成淀積層所需的氣體,加熱帶提供晶圓表面生長淀積層所需要的溫度。射頻帶用于傳遞來自RF發生器(未圖示)的射頻信號至加熱帶。加熱帶通常是400℃的高溫。
然而,現有裝置中的射頻帶都是鋁制的,其很容易在氣體分離器氣體的作用下被腐蝕,需要經常檢查射頻帶,及時更換。每次更換的時候,都需要中斷該制程,并等待加熱帶的溫度下降,更換完畢時,還需要將加熱帶溫度升到400℃。整個這個更換的過程消耗非常長的時間,頻繁地更換射頻帶的過程不僅以降低了生產效率,而且由于射頻帶的成本也很高,導致制造成本過高。
此外,當射頻帶被腐蝕的快要斷裂的時候,如果沒有及時檢查出來,會導致射頻信號傳輸遇阻,從而射頻信號會反向打回射頻信號發生器,造成射頻信號發生器的損壞,從而造成更大的經濟損失。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種晶圓淀積層裝置,其可以使氣體分離器產生的氣體和射頻帶完全隔離。
為實現上述目的,本實用新型提供一種晶圓表面淀積層生長裝置包括氣體分離器,設置在氣體分離器下方的加熱帶,射頻(RF)帶,底座及設置在底座上的固定塊;晶圓放置在加熱帶上,氣體分離器用于產生在晶圓表面生成淀積層所需的氣體,射頻帶連接在固定塊與加熱帶之間,該裝置還包括設置在射頻帶外部的防護罩,其是一個封閉腔體,可以完全封閉射頻帶。
所述防護罩與加熱帶及底座共同構成一個封閉腔體。
所述防護罩與加熱帶及固定塊共同構成一個封閉腔體。
所述防護罩的材質是陶瓷。
所述防護罩的材質是防腐蝕材料。
與現有技術相比,本實用新型的防護罩可以完全封閉射頻帶,從而防止氣體分離器產生的氣體腐蝕射頻帶,增加射頻帶的壽命,不用頻繁檢查射頻帶,從而有效提高生產效率并降低制造成本。
附圖說明
通過以下對本實用新型的實施例結合其附圖的描述,可以進一步理解其實用新型的目的、具體結構特征和優點。其中,附圖為:
圖1為現有技術中晶圓表面淀積層生長裝置的結構示意圖;
圖2為本實用新型晶圓表面淀積層生長裝置的第一實施例的結構示意圖;
圖3為本實用新型晶圓表面淀積層生長裝置的第二實施例的結構示意圖;
圖4為本實用新型晶圓表面淀積層生長裝置的第三實施例的結構示意圖。
具體實施方式
請參閱圖1,晶圓表面淀積層生長裝置包括氣體分離器1,設置在氣體分離器1下方的加熱帶2,兩個射頻(RF)帶3,底座4及設置在底座4上表面兩端的兩個固定塊5。晶圓(未圖示)放置在加熱帶2上,氣體分離器1用于產生晶圓表面生成淀積層所需的氣體,加熱帶2提供晶圓表面生長淀積層所需要的溫度。射頻帶3用于傳遞來自射頻發生器(未圖示)的射頻信號至加熱帶2,其一端分別固定在對應的固定塊5上,用于接收通過固定塊5傳送的射頻信號,另一端固定在加熱帶2的側面。
晶圓在加熱帶2的加熱溫度、氣體分離器1產生的氣體以及射頻信號三者的作用下,其表面會生成一層淀積層。
本實用新型還設置有兩個防護罩6,分別用于封閉兩個射頻帶3,防護罩6的材質為陶瓷或者是其它防腐蝕材料。射頻帶3被封閉在防護罩6里面,與外界完全隔離。
圖2中防護罩6上表面根據加熱帶2的形狀緊貼加熱帶2的側面和底面,其底部緊貼底座4表面,此時,防護罩6、加熱帶2及底座4共同構成一個密封的腔體,使射頻帶3的環境完全被隔離,即射頻帶3不會因為其本身的材質與氣體分離器1產生的氣體發生反應而被腐蝕。
請參閱圖3,為本實用新型第二實施例的示意圖。其中,防護罩6的上表面和下表面沒有與加熱帶2和底座4緊貼設置。防護罩6的上表面和下表面可以是封閉的,僅根據射頻帶3與加熱帶2及固定塊5連接的兩端對應設置開口。防護罩6、加熱帶2及固定塊5共同構成一個封閉腔體。
請參閱圖4,為本實用新型第三實施例的示意圖。如果固定塊5的設置位置發生改變,也只需要根據射頻帶3的形狀改變防護罩6的形狀,只要可以將射頻帶3與氣體分離器1產生的氣體隔離即可。
在本實用新型的其它實施例中,射頻帶3的個數和設置的位置可以根據具體設計發生改變,防護罩6的形狀和位置也會隨之改變,只需滿足射頻帶3與氣體分離器1產生的氣體完全隔離。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





