[實(shí)用新型]晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200620047810.3 | 申請(qǐng)日: | 2006-11-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201016122Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 代洪剛;馮春暖 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/00 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/00;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面 淀積層 生長(zhǎng) 裝置 | ||
1.一種晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置,包括用于產(chǎn)生在晶圓表面生成淀積層所需氣體的氣體分離器,設(shè)置在氣體分離器下方的加熱帶,射頻帶,底座及設(shè)置在底座上的固定塊;晶圓放置在加熱帶上,射頻帶連接在固定塊與加熱帶之間,其特征在于,該裝置還包括設(shè)置在射頻帶外部的防護(hù)罩,其是一個(gè)封閉腔體,可以完全封閉射頻帶。
2.權(quán)利要求1所述的一種晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置,其特征在于:防護(hù)罩與加熱帶及底座共同構(gòu)成一個(gè)封閉腔體。
3.權(quán)利要求1所述的一種晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置,其特征在于:防護(hù)罩與加熱帶及固定塊共同構(gòu)成一個(gè)封閉腔體。
4.權(quán)利要求1所述的一種晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述防護(hù)罩的材質(zhì)是陶瓷。
5.權(quán)利要求1所述的一種晶圓表面淀積層生長(zhǎng)裝置,其特征在于:所述防護(hù)罩的材質(zhì)是防腐蝕材料。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 光源裝置、照明裝置、液晶裝置和電子裝置
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