[實(shí)用新型]多信道可調(diào)光衰減器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200620044674.2 | 申請(qǐng)日: | 2006-08-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN200968996Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳谷紅;管樺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 陳谷紅;管樺 |
| 主分類號(hào): | G02B6/10 | 分類號(hào): | G02B6/10 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 200042上海市靜安區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信道 調(diào)光 衰減器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型是一種多信道可調(diào)光衰減器(VOA),屬于集成光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前光衰減器已有多種類型的制造技術(shù),大致可分為分立微光元件技術(shù)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)及平面光波導(dǎo)(PLC)技術(shù)等。分立微光元件技術(shù)又可分為機(jī)械、磁光效應(yīng)、熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)等諸多型式,但分立微光元件通常體積較大,單件生產(chǎn)成本較高。而采用微機(jī)電系統(tǒng)和平面光波導(dǎo)技術(shù)制造的可調(diào)光衰減器適合光路的集成化和模塊化發(fā)展的需要,體積小、成本低、集成度高,適合大批量生產(chǎn)。微機(jī)電系統(tǒng)的可調(diào)光衰減器雖然也可以實(shí)現(xiàn)小型化和集成化,但器件存在運(yùn)動(dòng)部件,其穩(wěn)定性和可靠性不如平面光波導(dǎo)器件。
采用平面光波導(dǎo)技術(shù)制造的可調(diào)光衰減器也有利用磁光效應(yīng)、熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)等多種型式。雖然熱光效應(yīng)的可調(diào)光衰減器是目前最為普遍被采用的型式之一,控制靈活方便、性能穩(wěn)定可靠、調(diào)節(jié)精度高,但其調(diào)節(jié)深度不夠廣,制成多信道可調(diào)光衰減器時(shí)串?dāng)_較大。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種尺寸小、集成度高、性能穩(wěn)定的多信道可調(diào)光衰減器,它可用于平衡和調(diào)節(jié)光的強(qiáng)度,在光信號(hào)傳輸過(guò)程中起到調(diào)節(jié)信號(hào)強(qiáng)度和平衡多路信號(hào)幅值的作用,也可用于控制信號(hào)的通、斷,是現(xiàn)代光通訊網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和各類光學(xué)儀器必不可少的重要器件。
本實(shí)用新型的方案是設(shè)計(jì)一個(gè)多層光電晶圓結(jié)構(gòu),其光波導(dǎo)采用硅基沉積二氧化硅的半導(dǎo)體加工技術(shù)和工藝制作,波導(dǎo)光芯沉積于硅基晶圓上,并置于折射率和厚度都不同于光芯的二氧化硅襯墊和覆蓋包層中,其襯墊和覆蓋包層的折射率略小于光芯的折射率,厚度則是光芯厚度的三到五倍;加熱和導(dǎo)電的金屬薄膜層采用濺射工藝制作;防金屬氧化保護(hù)層的制作采用化學(xué)氣相沉積工藝;隔熱槽則采用深度化學(xué)蝕刻工藝制成。可調(diào)光衰減器的光電結(jié)構(gòu)特征是:由馬赫-曾德干涉儀的上、下臂支路構(gòu)成具有調(diào)節(jié)和直通功能的光路結(jié)構(gòu);由電子控制的可調(diào)電源、高電導(dǎo)率的導(dǎo)電電路和高電阻率的加熱器組成加熱電路。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)比較具有如下優(yōu)點(diǎn):
1?由于采用硅基沉積二氧化硅和金屬薄膜濺射法的多層光電晶圓半導(dǎo)體加工技術(shù)和工藝制作,克服了傳統(tǒng)光纖熔錐器件在生產(chǎn)工藝和器件性能上存在的穩(wěn)定性和可靠性問(wèn)題,提高了器件的生產(chǎn)效率和性能。平面工藝器件適合大批量生產(chǎn),而且體積小,重量輕,集成度高,成本低。
2?利用二氧化硅材料的熱光效應(yīng),通過(guò)改變調(diào)節(jié)支路光波導(dǎo)的溫度,導(dǎo)致二氧化硅材料折射系數(shù)的變化來(lái)調(diào)節(jié)光信號(hào)的相位和強(qiáng)度。由于采用電子控制的可調(diào)加熱電路,控制靈活方便、性能穩(wěn)定可靠、調(diào)節(jié)精度高,無(wú)運(yùn)動(dòng)部件。
3?由于采用深度蝕刻的隔熱槽設(shè)計(jì),可隔離衰減器上、下支路之間的熱傳導(dǎo)以及多路信道之間的交叉熱傳導(dǎo),提高了衰減器的調(diào)節(jié)深度,減小了多信道可調(diào)光衰減器的串?dāng)_。
附圖說(shuō)明
本實(shí)用新型有如下附圖:
圖1是本實(shí)用新型多層光電結(jié)構(gòu)截面示意圖。
圖2是本實(shí)用新型光電回路工作原理示意圖。
圖中1波導(dǎo)光芯:???????????二氧化硅平面光波導(dǎo),傳輸光信號(hào);
????2襯墊:???????????????置于光芯底部,折射率略小于波導(dǎo)光芯的二氧化硅襯墊;
????3硅基晶圓?????????????半導(dǎo)體硅基材,作為晶圓芯片加工的襯底;
????4覆蓋包層:???????????置于光芯上部,折射率略小于波導(dǎo)光芯的二氧化硅覆蓋層;
????5加熱層:?????????????作為薄膜加熱器,材料為鎢、鉻或鉑等金屬;
????6導(dǎo)電層:?????????????作為薄膜導(dǎo)電電路,材料為金、銅或鋁等金屬;
????7保護(hù)層:?????????????防金屬氧化的薄膜保護(hù)層;
????8深度蝕刻層:?????????深度化學(xué)蝕刻的隔熱槽,隔離衰減器上、下支路的熱傳導(dǎo);
????9上臂支路:???????????馬赫-曾德干涉儀型衰減器的上臂調(diào)節(jié)波導(dǎo)支路;
????10下臂支路:??????????馬赫-曾德干涉儀型衰減器下臂直通波導(dǎo)支路;
????11加熱器:????????????金屬薄膜加熱器;
????12導(dǎo)電電路:??????????金屬薄膜導(dǎo)電電路;
????13可調(diào)電源:??????????加熱器電子控制可調(diào)電源;
14隔熱槽:????????????????隔離馬赫-曾德干涉儀上、下臂支路間的熱傳導(dǎo);
15信號(hào)輸入端:????????????可調(diào)光衰減器的光信號(hào)輸入端;
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