[實(shí)用新型]多信道可調(diào)光衰減器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620044674.2
• 申請日: 2006-08-09
• 公開（公告）號: CN200968996Y
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳谷紅;管樺
• 申請（專利權(quán)）人: 陳谷紅;管樺
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.多信道可調(diào)光衰減器，由多層光電晶圓結(jié)構(gòu)組成，包括硅基、襯墊、波導(dǎo)光芯、覆蓋包層、加熱層、導(dǎo)電層、保護(hù)層和深度蝕刻層，其特征在于：硅基晶圓上沉積折射率及厚度不同的二氧化硅襯墊、波導(dǎo)光芯和覆蓋包層，構(gòu)成平面光波導(dǎo)層；平面光波導(dǎo)層的光路調(diào)節(jié)支路上面濺射金屬薄膜加熱層和導(dǎo)電層；在金屬薄膜上面沉積防金屬氧化的保護(hù)層；光路調(diào)節(jié)支路和信道間蝕刻深度隔熱槽；可調(diào)光衰減器的光路由馬赫-曾德干涉儀單元構(gòu)成，加熱電路由電子控制的可調(diào)電源、高電導(dǎo)率的金屬導(dǎo)電薄膜電路、高電阻率的金屬加熱薄膜片以及電路接口組成。

2.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：平面型波導(dǎo)光芯是沉積于硅基晶圓上，并置于折射率和厚度都不同于波導(dǎo)光芯的襯墊和覆蓋包層中構(gòu)成平面光波導(dǎo)器件；其襯墊和覆蓋包層的折射率略小于波導(dǎo)光芯的折射率；而襯墊和覆蓋包層的厚度則是波導(dǎo)光芯厚度的三到五倍。

3.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：平面光波導(dǎo)層的光路調(diào)節(jié)支路上面濺射金屬薄膜加熱層和導(dǎo)電層；導(dǎo)電薄膜層材料是電導(dǎo)率較高的金、銅或鋁等金屬或合金；加熱薄膜層材料是電阻率較高的鎢、鉻或鉑等金屬或合金。

4.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：在金屬薄膜上面沉積氮化硅薄膜構(gòu)成防金屬氧化保護(hù)層。

5.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：馬赫-曾德干涉儀的上、下支路之間和各路信道之間蝕刻深度隔熱槽。

6.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：馬赫-曾德干涉儀的光路結(jié)構(gòu)由信號輸入端、上臂調(diào)節(jié)支路、下臂直通支路和信號輸出端構(gòu)成，并以此為單元組成具有多路信道的可調(diào)光衰減器。

7.按權(quán)利要求1所述的可調(diào)光衰減器，其特征在于：金屬加熱薄膜片置于馬赫-曾德干涉儀的上臂調(diào)節(jié)支路上面構(gòu)成加熱器，金屬導(dǎo)電薄膜電路置于加熱薄膜片的兩端，并連接器件兩側(cè)端部的電路接口，電子控制的可調(diào)電源通過電路接口與加熱器連接。