[實用新型]多信道可調光衰減器

無效

• 申請號: 200620044674.2
• 申請日: 2006-08-09
• 公開（公告）號: CN200968996Y
• 公開（公告）日: 2007-10-31
• 發明（設計）人: 陳谷紅;管樺
• 申請（專利權）人: 陳谷紅;管樺
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.多信道可調光衰減器，由多層光電晶圓結構組成，包括硅基、襯墊、波導光芯、覆蓋包層、加熱層、導電層、保護層和深度蝕刻層，其特征在于：硅基晶圓上沉積折射率及厚度不同的二氧化硅襯墊、波導光芯和覆蓋包層，構成平面光波導層；平面光波導層的光路調節支路上面濺射金屬薄膜加熱層和導電層；在金屬薄膜上面沉積防金屬氧化的保護層；光路調節支路和信道間蝕刻深度隔熱槽；可調光衰減器的光路由馬赫-曾德干涉儀單元構成，加熱電路由電子控制的可調電源、高電導率的金屬導電薄膜電路、高電阻率的金屬加熱薄膜片以及電路接口組成。

2.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：平面型波導光芯是沉積于硅基晶圓上，并置于折射率和厚度都不同于波導光芯的襯墊和覆蓋包層中構成平面光波導器件；其襯墊和覆蓋包層的折射率略小于波導光芯的折射率；而襯墊和覆蓋包層的厚度則是波導光芯厚度的三到五倍。

3.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：平面光波導層的光路調節支路上面濺射金屬薄膜加熱層和導電層；導電薄膜層材料是電導率較高的金、銅或鋁等金屬或合金；加熱薄膜層材料是電阻率較高的鎢、鉻或鉑等金屬或合金。

4.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：在金屬薄膜上面沉積氮化硅薄膜構成防金屬氧化保護層。

5.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：馬赫-曾德干涉儀的上、下支路之間和各路信道之間蝕刻深度隔熱槽。

6.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：馬赫-曾德干涉儀的光路結構由信號輸入端、上臂調節支路、下臂直通支路和信號輸出端構成，并以此為單元組成具有多路信道的可調光衰減器。

7.按權利要求1所述的可調光衰減器，其特征在于：金屬加熱薄膜片置于馬赫-曾德干涉儀的上臂調節支路上面構成加熱器，金屬導電薄膜電路置于加熱薄膜片的兩端，并連接器件兩側端部的電路接口，電子控制的可調電源通過電路接口與加熱器連接。