[實用新型]用于芯片的封印保護電路無效
| 申請號: | 200620042788.3 | 申請日: | 2006-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN201104322Y | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 李強 | 申請(專利權)人: | 上海坤銳電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201203上海市浦東張江*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 芯片 封印 保護 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路的檢測技術,特別是一種用于芯片的封印保護電路。
背景技術
隨著集成電路的發展及其應用領域的拓寬,集成電路芯片的應用越來越廣泛,對芯片可靠性及穩定性的要求也越來越高。圖1是已有技術邊界受到損傷但未影響電路功能的芯片示意圖,芯片的工作電路模塊1包括第一功能模塊11和第二功能模塊12。集成電路每單個芯片都是由晶園劃片得到,在劃片過程中,不可避免的會產生對芯片邊界的損傷的可能,如圖1所示的劃片引入的邊界損傷線7。而這種損傷在芯片的早期測試中一般很難發現。但當芯片被封裝及交付客戶使用后,這種損傷會繼續加大,直至到影響芯片正常的功能,如圖2所示擴散后的邊界損傷線8。但此時再對芯片進行替換或修復則會付出很大的代價。因此如何在早期對劃片過程中導致的邊界損傷進行檢測直接影響了芯片后期的性能及成本。
實用新型內容
為克服上述已有技術的不足,本實用新型要解決的技術問題是提供一種用于芯片的封印保護電路。
為解決上述技術問題,本實用新型的技術方案是:
一種用于芯片的封印保護電路,包括芯片的工作電路模塊,該保護電路還包括封印線和使能信號端、下拉電路或上拉電路;所述封印線圍繞所述芯片的工作電路模塊,該封印線一端接所述芯片的工作電路模塊的電源端,該封印線的另一端接所述芯片的工作電路模塊的接地端;
所述的使能信號端與所述芯片的工作電路模塊相連;
所述的下拉電路或上拉電路的一端接所述的使能信號端,另一端接所述芯片的工作電路模塊的接地端。
所述的封印線由導體構成。
所述的封印線采用金屬絲或電阻。
所述的封印線采用所述芯片的頂層鋁線。
所述的下拉電路或上拉電路采用電阻或二極管。
所述的下拉電路或上拉電路采用反接的二極管。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
本實用新型的芯片內部根據封印保護電路的使能信號電平就可在早期判斷芯片邊界是否受到損傷。芯片的正常工作電路模塊采用了本實用新型保護電路后,對芯片的的前期測試及成品率提高取得了較好的效果。而且本實用新型操作簡單、安全性高、芯片的硬件工藝容易實現。
附圖說明
圖1是已有技術邊界受到損傷但未影響電路功能的芯片示意圖。
圖2是邊界受到損傷并影響到電路功能的芯片示意圖。
圖3是本實用新型帶有封印保護電路的集成電路芯片結構圖。
圖4是本實用新型帶有封印保護電路的集成電路芯片版圖。
圖5是本實用新型采用了封印保護電路的射頻標簽芯片版圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型的具體實施方式做進一步詳細的說明,但不應以此限制本實用新型的保護范圍。
請參閱圖3和圖4。本實用新型提出的芯片封印保護電路如圖3所示,圖中包括被保護的芯片的工作電路模塊1及其封印保護電路。其版圖結構如圖4所示。
本實用新型集成電路芯片的保護電路,包括芯片的工作電路模塊1,還包括封印線3和使能信號端2、下拉電路4或上拉電路,芯片內部電路通過判斷封印線3的導通與斷開來對芯片邊界損傷進行自動檢測。
在版圖中,所述封印線3緊密圍繞芯片的工作電路模塊1,該封印線3一端接所述芯片的工作電路模塊1的電源端5,該封印線3的另一端接所述芯片的工作電路模塊1的接地端6;封印線3由導體構成,如金屬絲、電阻等,其特征是該封印線3未受損傷時可導電,受到損傷后斷開不可導電。
所述的使能信號端2與所述芯片的工作電路模塊1相連。如果在劃片過程中,芯片邊界未受到損傷,則封印線3保持導通,給芯片內部的使能感應信號為電源電壓電平,如果芯片邊界受到損傷,則封印線3斷開,給芯片內部的使能感應信號為地電平,芯片內部根據該使能信號電平就可在早期判斷芯片邊界是否受到損傷。
所述的下拉電路4或上拉電路的一端接所述的使能信號端2,另一端接所述芯片的工作電路模塊1的接地端6。該下拉電路4或上拉電路采用電阻或二極管。封印線3導通時,該下拉電路或上拉電路的兩端電勢差為電源電壓,封印線3斷開后,其兩端電勢差為零。
下面通過另一實施例進一步描述本實用新型。圖5所示為采用了封印保護電路的射頻標簽芯片版圖。封印線3采用芯片頂層鋁線,下拉電路4采用反接的二極管。根據上面所述,采用了封印保護電路后,對射頻標簽的前期測試及成品率提高取得了較好的效果。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并非用來限定本實用新型的實施范圍。即凡依本實用新型申請專利范圍的內容所作的等效變化與修飾,都應為本實用新型的技術范疇。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





