[實用新型]影像傳感器的封裝結構無效
| 申請號: | 200620017149.1 | 申請日: | 2006-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN200983366Y | 公開(公告)日: | 2007-11-28 |
| 發明(設計)人: | 劉玉誠 | 申請(專利權)人: | 劉玉誠 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳市科吉華烽知識產權事務所 | 代理人: | 胡吉科 |
| 地址: | 臺灣省*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感器 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子產品的封裝領域,特別涉及一種影像傳感器的封裝結構。
背景技術
封裝技術,是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術。封裝對于芯片至關重要,因為芯片必須與外界隔離,以防止空氣中的雜質對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。同時封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。封裝技術同樣會影響芯片自身性能的發揮和與之連接的印制電路板(Printed?CircuitBoard,PCB)的設計和制造。對于很多集成電路產品而言,封裝技術都是非常關鍵的一環。
請參考圖1,是一種現有技術的影像傳感器的封裝結構剖面示意圖。該影像傳感器的封裝結構100包括載板11、影像感測芯片13、導線15、支架16和透光層18。該載板11包括上表面111和下表面113,PCB線路115沿載板11的側面電連接上表面111和下表面113,該影像感測芯片13與該載板11的上表面111之間包括銀膠12,該銀膠12用于固定該影像感測芯片13。多條導線15位于該影像感測芯片13與該PCB線路115之間,其用于傳輸電信號。該支架16位于該載板11的上表面111并與該載板11形成一個容置空間19。該透光層18與該支架16之間包括膠體17,該膠體17用于固定該透光層18,該透光層18為一個玻璃層,用于防止外界灰塵進入容置空間19。
但是,上述影像傳感器的封裝結構100具有缺陷:該種封裝方式體積較大,封裝后的體積約為該影像感測芯片13所占體積的兩倍;該容置空間19較大,會容納更多的灰塵,影響成像品質;導線15被固定在影像感測芯片13與載板11之間,其中間部分為懸空狀態容易造成彈簧效應,當被振動或撞擊導線15很容易斷開,從而降低整個電路的電氣性能;大多數的影像感測芯片要求其濾波電容(圖未示)越靠近影像感測芯片效果越好,由于影像感測芯片13與載板11之間為一體化設計,從而不能在載板11上加入表面貼焊零件;該載板11的材料需要特定加工完成,成本較高且交貨速度較慢。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種封裝后的體積較小、抗震能力較高、成本較低且提高成像品質的影像傳感器的封裝結構。
一種影像傳感器的封裝結構,用于電連接至外部電路,其包括:載板、影像感測芯片、多條導線、導線固定物和透光層,該載板包括一上表面和下表面,該影像感測芯片位于該載板的上表面,該多條導線電連接影像感測芯片與外部電路,其中,該導線固定物包覆該多條導線并與該載板形成一個容置空間,該透光層位于該導線固定物之上。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第一種改進在于:該導線固定物是膠體。。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第二種改進在于:該影像感測芯片與該載板之間包括銀膠,該銀膠使該影像感測芯片固定于該載板上。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第三種改進在于:該膠體的高度可調。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第四種改進在于:該膠體的寬度小于該載板的上表面寬度。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第五種改進在于:該載板的上表面還包括濾波電容。
本實用新型影像傳感器的封裝結構的第六種改進在于:該透光層是玻璃。
相較于現有技術,本實用新型影像傳感器的封裝結構中的導線固定物取代現有技術的支架實現封裝功能,因此其封裝結構簡單,體積較小。該導線固定物包覆導線以固定導線,因此導線不會像現有技術處于懸空狀態,而處于完全固定狀態,因此其抗震性能較高,增強導線的可靠性。而且可以根據實際需要調整該透光層的高度。因此采用本實用新型影像傳感器的封裝結構比較靈活、方便、提高產品質量且降低生產成本。
附圖說明
圖1是一種現有技術的影像傳感器的封裝結構的剖面示意圖。
圖2是本實用新型影像傳感器的封裝結構示意圖。
圖3是本實用新型影像傳感器的封裝結構的剖面結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施方式,進一步說明本實用新型。
請參考圖2,是本實用新型影像傳感器的封裝結構示意圖。該影像傳感器的封裝結構400包括載板41、影像感測芯片43和成像區域40。該影像感測芯片43位于載板41上,該載板41上除影像感測芯片43所占區域外,其他區域為外圍區域410,該外圍區域410根據實際需要貼焊零件,如濾波電容等。該成像區域40位于影像感測芯片43的中心區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





