[發明專利]芯片封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200610172835.0
• 申請日: 2006-12-30
• 公開（公告）號: CN101211884A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 潘玉堂;劉孟學;周世文
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 左一平

技術領域

本發明涉及一種半導體元件及其制造方法，尤其涉及一種芯片封裝結構及其制造方法。

背景技術

在半導體產業中，集成電路(integrated?circuits，IC)的生產主要可分為三個階段：集成電路的設計(IC?design)、集成電路的制作(IC?process)及集成電路的封裝(IC?package)。

在集成電路的制作中，芯片(chip)是經由晶圓(wafer)制作、形成集成電路以及切割晶圓(wafer?sawing)等步驟而完成。晶圓具有一主動面(activesurface)，其泛指晶圓的具有主動元件(active?element)的表面。當晶圓內部的集成電路完成之后，晶圓的主動面還配置有多個焊墊(bonding?pad)，以使最終由晶圓切割所形成的芯片可經由這些焊墊而向外電性連接于一承載器(carrier)。承載器例如為一導線架(leadframe)或一封裝基板(packagesubstrate)。芯片可以打線接合(wire?bonding)或覆晶接合(flip?chip?bonding)的方式連接至承載器上，使得芯片的這些焊墊可電性連接于承載器的接點，以構成一芯片封裝結構。

請參考圖1，其是現有的一種芯片封裝結構的剖面示意圖。現有芯片封裝結構100包括一導線架110、一芯片120、多條焊線(bonding?wire)130與一膠體(encapsulant)140。芯片120配置于導線架110的一芯片座(chippad)112上，且芯片120的位于其主動面122上的多個焊墊124借由這些焊線130而電性連接至導線架110的多個內引腳(inner?lead)114。膠體140包覆芯片130、芯片座120與這些內引腳114，而膠體140則暴露出導線架110的各個外引腳(outer?lead)116的一部分。

然而，芯片120的尺寸(size)與這些焊墊124的數目會隨設計者的要求而有所變化。因此，為了讓芯片120可順利配置于芯片座112上以及電性連接至這些內引腳114，不同種類的芯片120必須搭配不同的導線架110，所以導線架110需視芯片120的尺寸而變還規格，因而提高封裝成本。此外，如果遇到較小尺寸的芯片120，為了使這些焊線130的長度減短，相鄰的這些內引腳114勢必需要往靠近芯片120的方向延伸而增加這些內引腳114的長度，但隨著這些相鄰的內引腳114的間距縮小，在形成膠體140的過程中，這些內引腳114越容易產生晃動，因此相鄰的這些焊線130便容易產生電性短路。

發明內容

本發明的目的是提供一種芯片封裝結構，其多個引腳可搭配不同種類或者不同尺寸的芯片。

本發明的另一目的是提供一種芯片封裝結構的制造方法，其所提供的多個引腳可搭配不同種類或者不同尺寸的芯片。

為達上述或是其他目的，本發明提出一種芯片封裝結構，其包括一金屬層(metal?layer)、一薄膜線路層(film-like?circuit?layer)、一芯片、一引腳陣列(lead?matrix)與一膠體。配置于金屬層上的薄膜線路層包括一絕緣薄膜(insulating?film)與一線路層(circuit?layer)。絕緣薄膜配置于金屬層上，而線路層配置于絕緣薄膜上，其中線路層具有多條導電跡線(conductivetrace)。芯片配置于金屬層的上方(above)，且芯片與這些導電跡線電性連接。引腳陣列配置于芯片的外側，引腳陣列具有多個引腳，且至少部分這些引腳與這些導電跡線電性連接。膠體至少包覆芯片、薄膜線路層、至少部分(part)這些引腳與至少部分金屬層。

在本發明的一實施例中，上述這些引腳可呈環狀排列。

在本發明的一實施例中，上述的芯片封裝結構還包括多條第一焊線，其電性連接芯片與這些導電跡線。

在本發明的一實施例中，上述的芯片封裝結構還包括多個凸塊，其電性連接芯片與這些導電跡線。

在本發明的一實施例中，上述的芯片封裝結構還包括一絕緣粘著膠與至少一第二焊線。絕緣粘著膠配置于這些引腳與金屬層之間。第二焊線電性連接這些導電跡線之一與這些引腳之一。

在本發明的一實施例中，上述的芯片封裝結構還包括一導電層，其配置于這些引腳的一端與薄膜線路層之間，且至少部分這些引腳經由導電層與這些導電跡線電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的絕緣薄膜可具有一暴露出金屬層的開口(opening)，且芯片配置于金屬層上并且位于開口內。