[發(fā)明專(zhuān)利]磁頭及磁頭制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200610172286.7
• 申請(qǐng)日: 2006-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101083080A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大松英晃;伊藤隆司
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G11B5/127
• 分類(lèi)號(hào): G11B5/127;G11B5/17;G11B5/60;G11B21/21
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉;遲軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁頭及磁頭制造方法，更具體地涉及一種具有對(duì)磁頭(即，磁頭滑塊)與介質(zhì)之間的間隔進(jìn)行調(diào)整的加熱器的磁頭及該磁頭的制造方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，磁盤(pán)設(shè)備中使用的記錄密度已變得極高。隨著記錄密度的增加，磁頭與介質(zhì)之間的間隔(即，磁頭的飛行高度)已變得微小，使得必須高精度地控制磁頭與介質(zhì)之間的距離。已研究了以下方法作為高精度地控制磁頭與介質(zhì)之間的距離的方法：將加熱器并入磁頭滑塊中并對(duì)提供給該加熱器的電流進(jìn)行控制以控制磁頭滑塊的熱膨脹并由此控制磁頭與介質(zhì)之間的距離(例如，參見(jiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1

日本專(zhuān)利公報(bào)特開(kāi)2005-63523號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

對(duì)于在其中并入了加熱器的傳統(tǒng)磁頭滑塊，將加熱器并入磁頭滑塊的基板中，這意味著對(duì)整個(gè)磁頭滑塊的溫度進(jìn)行控制以控制磁頭滑塊的熱膨脹。另一方面，如圖3所示，本申請(qǐng)研究了一種方法，其中，將加熱器20布置在形成于磁頭的寫(xiě)入頭10中的線(xiàn)圈14與下磁極層16之間。使用該結(jié)構(gòu)，對(duì)提供給加熱器20的電流進(jìn)行控制以主要地調(diào)整寫(xiě)入頭10向介質(zhì)表面探出的量(即，寫(xiě)入頭10的熱膨脹)，由此調(diào)整飛行高度。

圖3所示的磁頭包括：讀取頭8，其中，再現(xiàn)MR元件5夾在下保護(hù)層6與上保護(hù)層7之間；以及寫(xiě)入頭10，其包括布置在寫(xiě)入間隙11的兩側(cè)的下前端磁極12和上磁極13。在寫(xiě)入頭10中，用于在下前端磁極12與上磁極13之間產(chǎn)生寫(xiě)入磁場(chǎng)的線(xiàn)圈14夾在下磁極層16與上磁極13之間，并纏繞在連接部15的周?chē)?/p>

在該示例中，將加熱器20布置在連接部15的后面，并布置在線(xiàn)圈14a的第一層與下磁極層16之間，并與這些部分電絕緣。加熱器20按扁平線(xiàn)圈的形式來(lái)進(jìn)行繞線(xiàn)，并位于寫(xiě)入頭10的后面。圖3示出了加熱器20的一部分。

通過(guò)按預(yù)定圖案將磁層、絕緣層等相繼地層壓在晶片基板上來(lái)形成磁頭。以與形成磁頭的傳統(tǒng)層形成工藝相同的方式，在磁頭制造工藝的過(guò)程中按預(yù)定圖案形成加熱器20，但是如圖3所示，由于將加熱器20形成在下磁極層16與線(xiàn)圈14a之間，因此人們相信將存在以下問(wèn)題：形成加熱器20的部分將向上凸起，導(dǎo)致線(xiàn)圈14移位而不能形成正確的線(xiàn)圈圖案；并且，如果加熱器20與絕緣層之間的連接得不好，則加熱器20將變得與該絕緣層分離并將腐蝕。

構(gòu)思本發(fā)明以解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種磁頭，其中，可以可靠地并入加熱器，該加熱器與構(gòu)成該磁頭的磁層以及記錄線(xiàn)圈電絕緣，并且其中，可以使用由該加熱器進(jìn)行加熱而導(dǎo)致的熱膨脹來(lái)適當(dāng)?shù)乜刂圃摯蓬^與介質(zhì)表面之間的飛行高度。

為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明提供了一種磁頭，在該磁頭中并入了用于控制該磁頭在介質(zhì)表面上方的飛行高度的加熱器，其中，通過(guò)在加熱層(TiW、NiCu、NiCr、NiFe)的兩個(gè)表面上都設(shè)置鉭層以將該加熱層(TiW、NiCu、NiCr、NiFe)夾在中間來(lái)形成該加熱器，并設(shè)置二氧化硅層作為使該加熱器與構(gòu)成該磁頭的導(dǎo)電部分電絕緣的絕緣層。

可以在寫(xiě)入頭的下磁極層與記錄線(xiàn)圈之間設(shè)置加熱器，并且可以在該下磁極層與該加熱器之間以及在該加熱器的多個(gè)繞組之間設(shè)置二氧化硅層作為絕緣層。

通過(guò)將加熱器的表面和設(shè)置在與該加熱器相同的層上的二氧化硅層的表面形成為具有一致高度的表面，可以高精度地形成磁頭的磁層和記錄線(xiàn)圈。

而且，通過(guò)在加熱器上和設(shè)置在與該加熱器相同的層上的二氧化硅??層的表面上設(shè)置氧化鋁層，可以確保構(gòu)成磁頭的加熱器和磁層和/或記錄線(xiàn)圈可靠地彼此電絕緣。

一種根據(jù)本發(fā)明的磁頭制造方法制造上述磁頭，作為制造加熱器的步驟，該方法包括以下步驟：在基板的表面上形成二氧化硅層；在所述二氧化硅層的表面上依次形成鉭層、加熱層(TiW、NiCu、NiCr、NiFe)及另一鉭層作為加熱器形成層；根據(jù)所述加熱器的平面圖案對(duì)光刻膠進(jìn)行構(gòu)圖以覆蓋所述加熱器形成層的表面；通過(guò)以所述光刻膠為掩模在所述加熱器形成層上執(zhí)行離子銑削來(lái)按一圖案形成所述加熱器；在所述加熱器的表面覆蓋有所述光刻膠的狀態(tài)下濺射二氧化硅層，使該二氧化硅層的厚度大于所述加熱器的厚度；以及通過(guò)剝離將所述光刻膠連同覆蓋所述光刻膠的外表面的所述二氧化硅層一起從所述加熱器的表面去除。

在去除所述光刻膠的步驟之后，所述加熱器的表面和形成在與該加熱器相同的層上的二氧化硅層的表面可以具有一致的高度。