[發明專利]磁頭及磁頭制造方法

無效

• 申請號: 200610172286.7
• 申請日: 2006-12-30
• 公開（公告）號: CN101083080A
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 大松英晃;伊藤隆司
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/17;G11B5/60;G11B21/21
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉;遲軍

1、一種磁頭，在該磁頭中并入有用于控制該磁頭在介質表面上方的飛行高度的加熱器，

其中，所述加熱器是通過在加熱層的兩個表面上都設置鉭層以將所述加熱層夾在中間而形成的，并且

設置有二氧化硅層作為絕緣層，該絕緣層將所述加熱器與構成所述磁頭的導電部分電絕緣。

2、根據權利要求1所述的磁頭，

其中，所述加熱器設置在寫入頭的下磁極層與記錄線圈之間，并且

在所述下磁極層與所述加熱器之間以及所述加熱器的多個繞組之間設置有二氧化硅層作為絕緣層。

3、根據權利要求1所述的磁頭，

其中，所述加熱器的表面和設置在與所述加熱器相同的層上的所述二氧化硅層的表面被形成為高度一致的表面。

4、根據權利要求2所述的磁頭，

其中，所述加熱器的表面和設置在與所述加熱器相同的層上的所述二氧化硅層的表面被形成為高度一致的表面。

5、根據權利要求3所述的磁頭，

其中，在所述加熱器上和設置在與所述加熱器相同的層上的所述二氧化硅層的表面上設置有氧化鋁層。

6、根據權利要求4所述的磁頭，

其中，在所述加熱器上和設置在與所述加熱器相同的層上的所述二氧化硅層的表面上設置有氧化鋁層。

7、一種磁頭制造方法，在該磁頭中并入有用于控制該磁頭在介質表面上方的飛行高度的加熱器，作為制造所述加熱器的步驟，該磁頭制造方法包括以下步驟：

在基板的表面上形成二氧化硅層；

在所述二氧化硅層的表面上依次形成鉭層、加熱層和另一鉭層作為加熱器形成層；

根據所述加熱器的平面圖案對光刻膠進行構圖以覆蓋所述加熱器形成層的表面；

通過以所述光刻膠為掩模在所述加熱器形成層上執行離子銑削來按一圖案形成所述加熱器；

在所述加熱器的表面覆蓋有所述光刻膠的狀態下濺射二氧化硅層，使該二氧化硅層的厚度大于所述加熱器的厚度；以及

通過剝離將所述光刻膠連同覆蓋所述光刻膠的外表面的所述二氧化硅層一起從所述加熱器的表面去除。

8、根據權利要求7所述的磁頭制造方法，該磁頭制造方法在去除所述光刻膠的所述步驟之后還包括以下的平滑步驟：對所述加熱器的表面和形成在與所述加熱器相同的層上的所述二氧化硅層的表面進行研磨以使得這些表面高度一致。

9、根據權利要求8所述的磁頭制造方法，

其中，在已在所述基板的表面上形成了寫入頭的下磁極層之后，通過執行以下步驟在下磁極層與記錄線圈之間形成所述加熱器：

在所述下磁極層的表面上形成二氧化硅層；

形成所述加熱器形成層；

對所述光刻膠進行構圖以覆蓋所述加熱器形成層；

在所述加熱器形成層的表面覆蓋有所述光刻膠的狀態下濺射二氧化硅；以及

通過剝離將所述光刻膠連同所述二氧化硅層一起從所述加熱器的表面去除。