[發(fā)明專利]電致發(fā)光裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610171766.1
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN101212009A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖學(xué)國;陳世鵬;薛清全;程傳嘉;陳煌坤
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種電致發(fā)光裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供板體；

形成至少一個發(fā)光二極管元件于該板體上，該發(fā)光二極管元件依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層形成于該板體上；

形成圖案化透明導(dǎo)電層于該發(fā)光二極管元件上；

形成反射層于該圖案化透明導(dǎo)電層上；

粘貼導(dǎo)電基板于該反射層之上；

移除該板體；以及

分別形成第一接觸電極及第二接觸電極于該第一半導(dǎo)體層及該導(dǎo)電基板的一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該第一半導(dǎo)體層之側(cè)于不具有該第一接觸電極的位置形成粗糙結(jié)構(gòu)或抗反射層。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該導(dǎo)電基板通過粘貼層粘貼于該反射層之上，該反射層為歐姆接觸金屬層，且該反射層的材料選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉑、鈦及其組合所構(gòu)成的組。

4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中該粘貼層的材料為銀膏、錫膏、錫銀膏，或其他可導(dǎo)電的含鉛與不含鉛的粘貼材料。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該導(dǎo)電基板的材料包括半導(dǎo)體或金屬，該半導(dǎo)體為硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼或其組合，而該金屬為鋁、銅或其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該圖案化透明導(dǎo)電層包括多個獨立或連續(xù)的島狀圖案，且該島狀圖案的剖面為矩形、圓形、多邊形或不規(guī)則形。

7.一種電致發(fā)光裝置，包括：

導(dǎo)電基板；

反射層，設(shè)置于該導(dǎo)電基板之上；

圖案化透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該反射層上；

至少一個發(fā)光二極管元件，設(shè)置于該圖案化透明導(dǎo)電層上，該發(fā)光二極管元件依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層位于該圖案化透明導(dǎo)電層及該反射層上；

第一接觸電極，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層的一側(cè)；以及

第二接觸電極，設(shè)置于該導(dǎo)電基板的一側(cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該反射層為歐姆接觸金屬層，且該反射層的材料選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉑、鈦及其組合所構(gòu)成的組。

9.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該反射層具有凹凸表面，且該圖案化透明導(dǎo)電層充滿該反射層的凹入處。

10.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該圖案化透明導(dǎo)電層包括多個島狀圖案。

11.如權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光裝置，其中該島狀圖案為獨立或連續(xù)，且該島狀圖案的剖面為矩形、圓形、多邊形或不規(guī)則形。

12.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，還包括：

粘貼層，設(shè)置于該反射層與該導(dǎo)電基板之間。

13.如權(quán)利要求12所述的電致發(fā)光裝置，其中該導(dǎo)電基板及該粘貼層具有高導(dǎo)熱性質(zhì)，且該導(dǎo)電基板的材料包括半導(dǎo)體或金屬。

14.如權(quán)利要求13所述的電致發(fā)光裝置，其中該半導(dǎo)體為硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼或其組合，而該金屬為鋁、銅或其組合。

15.如權(quán)利要求12所述的電致發(fā)光裝置，其中該粘貼層的材料為銀膏、錫膏、錫銀膏，或其他可導(dǎo)電的含鉛與不含鉛的粘貼材料。

16.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該第一半導(dǎo)體層之側(cè)于不具有該第一接觸電極的位置形成粗糙結(jié)構(gòu)或抗反射層。

17.如權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光裝置，其中該第一半導(dǎo)體層之側(cè)于不具有該第一接觸電極的位置形成透明導(dǎo)電層。