[發明專利]一種生長二氧化硅薄膜的方法

無效

• 申請號: 200610171664.X
• 申請日: 2006-12-31
• 公開（公告）號: CN101211780A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 王曉東;季安;邢波;楊富華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 周國城

1.一種生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，該方法包括：

A、配制二氧化硅飽和溶液；

B、在配制的二氧化硅飽和溶液中加入去離子水或蒸餾水，攪拌得到二氧化硅的過飽和溶液；

C、在二氧化硅的過飽和溶液中加入硼酸或鋁，攪拌得到飽和生長溶液；

D、將半導體襯底垂直浸入到所述飽和生長溶液中，二氧化硅在半導體襯底表面沉積，形成二氧化硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟A包括：

取適量硅酸粉和六氟硅酸配成溶液，在室溫下充分攪拌6小時以上，然后用過濾器濾掉未溶解的硅酸粉，得到二氧化硅飽和溶液。

3.根據權利要求2所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述硅酸粉和六氟硅酸放入聚四氟乙烯或塑料容器中，所述過濾器為聚四氟乙烯過濾器。

4.根據權利要求1所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述步驟B包括：

用適量蒸餾水或去離子水稀釋二氧化硅飽和溶液，得到一定摩爾濃度的六氟硅酸溶液，然后在室溫下攪拌所述的六氟硅酸溶液得到二氧化硅的過飽和溶液。

5.根據權利要求1所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟D中所述半導體襯底為表面經過清洗處理的半導體襯底，

所述半導體襯底為硅Si襯底，或為砷化鎵GaAs襯底，或為氮化鎵GaN襯底，或為磷化銦InP襯底，或為汞鎘碲HgCdTe襯底。

6.根據權利要求5所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述清洗半導體硅襯底采用硫酸和雙氧水的混合溶液浸泡，然后用去離子水沖洗干凈。

7.根據權利要求1所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，步驟D中所述飽和生長溶液的溫度為40攝氏度。

8.根據權利要求1所述的生長二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，該方法進一步包括：

持續向生長溶液中加入硼酸粉、鋁和飽和二氧化硅的過飽和溶液，補充反應消耗掉的硼酸粉、鋁和飽和二氧化硅的過飽和溶液，使得沉積持續進行。