[發明專利]設置于半導體裝置中的焊墊結構與相關方法

有效

• 申請號: 200610171229.7
• 申請日: 2006-12-21
• 公開（公告）號: CN101207098A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 柯明道;蕭淵文;曾玉光
• 申請（專利權）人: 智原科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種設置于半導體裝置中的焊墊結構，該半導體裝置包含有基底，該焊墊結構包含有：

連接結構，用以容許引線連接于其上；以及

電感結構，耦合于該連接結構，用以降低該引線與該基底間的等效電容值。

2.如權利要求1所述的焊墊結構，其中該電感結構設置于該基底與該連接結構之間。

3.如權利要求2所述的焊墊結構，其中該電感結構的面積實質上等于該連接結構的面積。

4.如權利要求1所述的焊墊結構，其中該電感結構包含有多個層金屬層，該多個層金屬層中的每一個金屬層都形成線圈結構。

5.如權利要求4所述的焊墊結構，其中該多個層金屬層中每兩個相鄰的金屬層通過導孔相互連接。

6.一種于半導體裝置上形成焊墊結構的方法，其包含有：

于該半導體裝置的基底上方形成電感結構；以及

于該電感結構上方形成連接結構；

其中該電感結構與該連接結構構成該焊墊結構，該連接結構容許引線連接于其上。

7.如權利要求6所述的方法，其中該電感結構的面積實質上等于該連接結構的面積。

8.如權利要求6所述的方法，其中該電感結構包含有多個層金屬層，該多個層金屬層中的每一個金屬層都形成線圈結構。

9.如權利要求8所述的方法，其中該多個層金屬層中每兩個相鄰的金屬層通過導孔相互連接。