[發明專利]雙面板型有機電致發光顯示器件及其制造方法有效
| 申請號: | 200610168202.2 | 申請日: | 2006-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN101097941A | 公開(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發明(設計)人: | 樸宰希;樸冏敏;李錫宗 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;祁建國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面板 有機 電致發光 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
本申請要求2006年6月29日提交的韓國專利申請No.10-2006-059350的 優先權,在此將其結合進來作為參考。
技術領域
本發明涉及一種有機電致發光器件(OELD),尤其涉及一種頂部發射型 OELD。
背景技術
一般地,OELD器件通過將來自陰極的電子和來自陽極的空穴注入發射層 中、電子與空穴復合、產生激子并激子從激發態躍遷到基態而發射光。因為在 OLED器件中由于激子在兩個態之間躍遷導致了發射光,所以與液晶顯示 (LCD)器件相比,OELD器件不需要額外的光源。因此,OELD的尺寸和重 量小于LCD器件。
OELD具有優秀的特性,如低能耗、高亮度、和快響應時間。因而OELD 被視為用于下一代消費電子產品,如便攜式電話、汽車導航系統(CNS)、個 人數字助理(PDA)、便攜式攝像機、掌上型計算機等的優選顯示器。此外, 因為可以以較少處理步驟來制造有機ELD,所以可以比LCD器件更便宜地制 造OELD。
此外,兩種類型的OELD是無源矩陣OELD和有源矩陣OELD。盡管無 源和有源矩陣OELD兩個都具有簡單的結構且可由簡單的制造工序來形成, 但無源矩陣OELD需要相對大量的電力來工作。此外,無源矩陣OELD的顯 示尺寸受到結構中所使用的導線寬度和厚度的限制。此外,隨著導線數量增加, 無源矩陣OELD的孔徑比下降。相反,有源矩陣OELD效率高,且可以用相 對低的電力在較大的顯示器上產生高質量圖像。
現在轉向圖1,其是依照相關技術的OELD1的示意性橫截面圖。如圖所 示,OELD1包括彼此面對且分開的第一和第二基板12和28。還包括形成在 第一基板12上的陣列元件層14。如圖所示,陣列元件層14包括薄膜晶體管 “T”。盡管沒有示出,但陣列元件層14還包括柵線、與柵線交叉以限定像素 區域“P”的數據線、和與柵線和數據線之一交叉的電源線。此外,OELD1還 包括陣列元件層14上的第一電極16、第一電極16上的有機電致發光(EL) 層18、和有機EL層18上的第二電極20。此外,第一電極16與薄膜晶體管 “T”相連。這里,有機EL層18包括位于在像素區域“P”中的紅色(R)、 綠色(G)和藍色(B)子有機EL層。
此外,第二基板28用作具有凹入部分21的封裝面板。在凹入部分21中 封裝有干燥劑22以保護OELD1免于濕氣影響,并且干燥劑22通過保持元件 25固定。此外,在第一和第二基板12和28之間外圍處形成有密封圖案26, 從而將第一和第二基板12和28彼此粘結。
接下來,圖2是相關技術OELD的等效電路圖。如圖2中所示,形成在 基板32上的柵線42和與柵線42交叉的數據線44限定了像素區域“P”。還包 括與柵線42分開平行且與數據線44交叉的電源線55。
此外,在靠近柵線和數據線42和44交叉的區域中,開關元件“Ts”與柵 線和數據線42和44相連,驅動元件“TD”與開關元件“Ts”相連。例如,圖 2中的驅動元件“TD”是正型薄膜晶體管。此外,在開關元件“Ts”和驅動元 件“TD”之間形成有存儲電容器“CST”。此外,驅動元件“TD”的漏極63與 有機EL二極管“E”的第一電極(沒有示出)相連。此外,驅動元件“TD” 的源極66與電源線55相連,柵極68與電容器Cst和開關元件Ts相連。
下面,將詳細解釋OELD的工作原理。當給開關元件“Ts”的柵極46施 加柵信號時,施加給數據線44的電流信號通過開關元件“Ts”變為電壓信號 并施加給驅動元件“TD”的柵極68。
因此,驅動元件“TD”被驅動且確定了施加給有機EL二極管“E”的電 流佱,從而有機EL二極管“E”可顯示灰度級。此外,因為存儲電容器“Cst” 中的信號用于保持驅動元件“TD”柵極68的信號,所以即使開關元件“Ts” 處于截止狀態,施加給EL二極管的電流仍可一直保持到施加下一個信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





