[發(fā)明專利]雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610168202.2 | 申請(qǐng)日: | 2006-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101097941A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-01-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸宰希;樸冏敏;李錫宗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG.菲利浦LCD株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 徐金國(guó);祁建國(guó) |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙面板 有機(jī) 電致發(fā)光 顯示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,包括:
在包含多個(gè)像素區(qū)域的基板上彼此相連的開(kāi)關(guān)元件和驅(qū)動(dòng)元件,其中該 開(kāi)關(guān)元件包括第一柵極、第一柵極上的第一半導(dǎo)體層、和第一半導(dǎo)體層上的第 一源極和漏極,以及其中該驅(qū)動(dòng)元件包括第二柵極、第二柵極上的第二半導(dǎo)體 層、第二半導(dǎo)體層上的第二源極和漏極,其中第一源極具有“U”形,第一漏 極具有棒形,第一漏極的一部分設(shè)置在第一源極中并與第一源極分開(kāi),其中第 二源極具有環(huán)形,第二漏極具有圓形,第二漏極設(shè)置在第二源極中并與第二源 極分開(kāi),并且其中第一源極和漏極以及第二源極和漏極是通過(guò)沉積并構(gòu)圖一半 導(dǎo)體金屬層而形成的,其中第一源極和漏極以及第二源極和漏極彼此不重疊;
在開(kāi)關(guān)元件和驅(qū)動(dòng)元件上的平坦化層,該平坦化層具有基本上平坦的頂 面;
平坦化層上的陰極,該陰極與驅(qū)動(dòng)元件相連;
在多個(gè)像素區(qū)域之間的邊界處形成在陰極上的鈍化層;
陰極上的發(fā)射層;以及
發(fā)射層上的陽(yáng)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,陽(yáng)極包括銦錫氧化物ITO 和銦鋅氧化物IZO中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,陰極包括鈣Ca、鋁Al、 鋁合金、鎂Mg、銀Ag和鋰Li中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,還包括陰極上的電子注入 層、電子注入層上的電子傳輸層、發(fā)射層上的空穴傳輸層、空穴傳輸層上的空 穴注入層、和空穴注入層上的緩沖層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件,其特征在于,緩沖層選自有機(jī)單分子材 料和氧化物中的一種,其中有機(jī)單分子材料具有結(jié)晶性,氧化物包括五氧化二 釩V2O5。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件,其特征在于,有機(jī)單分子材料包括銅酞 菁CuPc。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,驅(qū)動(dòng)元件是負(fù)型薄膜晶體 管,第二漏極與第二源極分開(kāi),并且第二源極和第二漏極與第二半導(dǎo)體層的端 部相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件,其特征在于,第二漏極與陰極相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,還包括與開(kāi)關(guān)元件相連并 彼此交叉限定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線以及與柵線和數(shù)據(jù)線之一交叉的電源 線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件,其特征在于,在柵線、數(shù)據(jù)線和電源線 端部分別包括柵焊盤、數(shù)據(jù)焊盤和電源焊盤。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件,其特征在于,第一柵極與柵線相連,第 一源極與數(shù)據(jù)線相連,以及第一源極和第一漏極與第一半導(dǎo)體層的端部相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件,其特征在于,還包括存儲(chǔ)電容器,該 存儲(chǔ)電容器包括與電源線相連的第一存儲(chǔ)電極、與第一漏極相連的第二存儲(chǔ)電 極、和在第一和第二存儲(chǔ)電極之間的絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,平坦化層包括有機(jī)絕緣材 料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件,其特征在于,平坦化層包括苯并環(huán)丁 烯BCB和丙烯酸樹(shù)脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,還包括在平坦化層與開(kāi)關(guān) 元件之間以及平坦化層與驅(qū)動(dòng)元件之間的無(wú)機(jī)絕緣材料的第二鈍化層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
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- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





