[發明專利]形成半導體器件的金屬線的方法

無效

• 申請號: 200610166775.1
• 申請日: 2006-12-14
• 公開（公告）號: CN101154624A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 金正根;鄭哲謨;金恩洙;洪承希
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種形成半導體器件的金屬線的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成絕緣層和粘合層；

去除一部分所述粘合層和所述絕緣層以形成溝槽；

在包括所述溝槽和所述粘合層的半導體襯底之上形成金屬層；以及

執行拋光工藝直至露出所述絕緣層，由此形成金屬線。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述粘合層包括鈦和氮化鈦層的疊層。

3.根據權利要求1所述的方法，包括原位或非原位形成所述粘合層。

4.根據權利要求2所述的方法，包括將所述粘合層的鈦形成至10埃至200埃的厚度，將所述粘合層的TiN層形成至50埃至200埃的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在所述溝槽被間隙填充之前，在所述溝槽的側壁上形成間隔物；以及

清潔所述溝槽的內部。

6.根據權利要求5所述的方法，其中形成所述間隔物的步驟包括以下步驟：

在包括所述溝槽的半導體襯底之上形成絕緣層；以及

執行蝕刻工藝從而在所述溝槽的側壁上形成間隔物。

7.根據權利要求6所述的方法，包括利用氧化物層或氮化物層將所述絕緣層形成至10埃至200埃的厚度。

8.根據權利要求5所述的方法，包括在形成所述間隔物時，去除所述溝槽的頂角。

9.根據權利要求5所述的方法，包括利用射頻預清潔或反應性離子預清潔來清潔所述溝槽的內部。

10.根據權利要求5所述的方法，其中在沒有形成所述間隔物的情況下，進行清潔工藝以去除所述溝槽的頂角。

11.根據權利要求1所述的方法，包括利用鎢原位形成所述金屬層。

12.根據權利要求11所述的方法，包括在鎢形成工藝中，形成晶核，并利用所述晶核作為種子形成鎢。

13.根據權利要求12所述的方法，包括利用原子層沉積方法，脈沖成核層方法或低RsW方法來形成所述鎢晶核。

14.根據權利要求13所述的方法，包括利用低RsW方法來產生所述鎢晶核，所述低RsW方法包括通過順序噴灑第一B₂H₆/WF₆氣體、SiH₄/WF₆氣體和第二B₂H₆/WF₆氣體來產生晶核的步驟。

15.根據權利要求14所述的方法，包括在250℃至400℃的溫度范圍內噴灑所述第一B₂H₆/WF₆氣體和所述SiH₄/WF₆氣體，并且在350℃至450℃的溫度范圍內噴灑所述第二B₂H₆/WF₆氣體。

16.根據權利要求14所述的方法，包括執行一次噴灑所述第一和第二B₂H₆/WF₆氣體的工藝，并執行第一至五次噴灑所述SiH₄/WF₆氣體的工藝。

17.根據權利要求14所述的方法，包括在噴灑所述第二B₂H₆/WF₆氣體的工藝中產生非晶態的鎢或β態的鎢晶核。

18.根據權利要求12所述的方法，包括在形成所述晶核之后，在350℃至450℃的溫度范圍內利用H₂氣體形成鎢。