[發明專利]一種陽極氧化零件表面的清洗方法

有效

• 申請號: 200610165559.5
• 申請日: 2006-12-21
• 公開（公告）號: CN101204701A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 朱哲淵
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: B08B3/00
• 分類號: B08B3/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;郭宗勝

技術領域

本發明涉及一種物體的清洗方法，尤其涉及微電子工藝過程中等離子腔體中的陽極氧化零件表面的清洗方法。

背景技術

隨著半導體芯片技術的發展，技術節點已從250nm發展到65nm，甚至45nm以下，硅片的大小也從200mm增加到300mm，在這樣的情況下，每片硅片的成本變得越來越高。對加工硅片的工藝要求越來越嚴格。半導體的加工需要經過多道工序，包括沉積、光刻、刻蝕、側墻等，刻蝕工藝是其中較為復雜的一個，等離子體刻蝕過程中等離子體的狀態、各項工藝過程參數等與刻蝕結果直接相關。

在半導體多晶硅干法刻蝕工藝過程中，隨著反應地進行，會產生很多成分復雜副產物。雖然在每次工藝后進行干法清洗，即采用六氟化硫SF6或氧氣O₂等氣體的等離子氣體在一定的真空度和射頻功率下對腔室中的副產物或污染物進行清除，大部分這類副產物可與含SF6等離子體反應而被分子泵和干泵排出反應室，但還有小部分的副產物附著在反應室內壁上。副產物在反應室的工藝環境中，會發生一系列的分裂聚合反應，重新組合為成分結構復雜的聚合物，此時的副產物已經很難用干法清洗的方法去除了，這種附著于內壁上成分結構復雜的聚合物膜會隨著工藝的繼續進行而不斷累積，而且這層薄膜穩定性不強，隨時會從內壁上脫落下來污染到硅片，所以需要對反應室內部裸露于工藝環境的腔室進行定期清洗。

通常的清洗手段是采用有機溶劑如乙醇、異丙醇等，NH₄OH或KOH堿性溶液，HCl、HNO₃等酸性溶液在一定程度上可有效去除其表面的有機和金屬污染物，但對于含F的污染物如AlF3、Al-Si-F-等，此類污染物反應活性低，普通清洗劑效果不佳

發明內容

本發明的目的是提供一種陽極氧化零件表面的清洗方法，可以實現對陽極氧化零件表面的進行濕法清洗，對零件表面損傷小，且完全滿足使用要求。刻蝕機進行正常工藝如多晶刻蝕時，在多晶刻蝕工藝后，為腔室中的副產物提供快速、簡便、有效的去除方法，恢復腔室正常的工藝條件，從而滿足生產要求。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

1、一種陽極氧化零件表面的清洗方法，包括以下步驟：

A、用有機溶劑清洗零件表面；

B、用堿性溶液清洗零件表面；

C、用酸性溶液清洗零件表面；

D、用氟化酮或氟化酮與有機溶劑的混合溶液清洗零件表面；

E、用超聲波清洗零件。

所述的步驟A前還包括：

用超純水清洗零件表面；具體用超純水噴淋零件表面不少于設定的噴淋時間，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

所述的步驟A包括：

A1、用有機溶劑擦拭零件，直至無帶色的雜質脫落；和/或，

A2、用有機溶劑噴淋零件設定的噴淋時間，并可重復多次，且每次的噴淋時間與所用有機溶劑的可相同或不同；和/或，

A3、用有機溶劑浸泡零件設定的浸泡時間，并可重復多次，且每次的浸泡時間與所用有機溶劑的可相同或不同；

和/或，

A4、在擦拭、噴淋和/或浸泡零件清洗后還包括用超純水沖洗零件表面，并用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

所述的有機溶劑為：

含量為100％的異丙醇；或者，

含量為100％的乙醇；或者，

含量為100％的丙酮；

所述的異丙醇、乙醇與丙酮不低于SEMI標準的一級標準。

所述的步驟B包括：

B1、用堿性溶液浸泡零件不少于設定的清洗時間；

B2、用潔凈的擦拭物擦拭零件再用超純水沖洗零件表面，并用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

所述的堿性溶液包括：氫氧化銨NH₄OH、雙氧水H₂O₂與水H₂O，其各組份的質量含量比為：

NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O，比例為1∶1∶1～20。

所述的步驟C包括：

C1、用酸性溶液擦拭零件，不超過設定的擦拭時間；

C2、用超純水沖洗零件表面，并用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

8、根據權利要求7所述的陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于：