[發(fā)明專利]一種可透光物體的在位檢測方法及檢測裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610165053.4 | 申請日: | 2006-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN101202237A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張之山 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01V8/10;G01B11/00;G01B11/26 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 鄭立明;郭宗勝 |
| 地址: | 100016北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透光 物體 在位 檢測 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及可透光物體的檢測領(lǐng)域,尤其是可透光物體制作過程中的在位檢測方法及檢測裝置。
背景技術(shù)
目前,在可透光物體的制作過程中,為保證產(chǎn)品具有較高的質(zhì)量,對制作過程的可靠性和安全性要求很高。一般這樣的產(chǎn)品都是通過現(xiàn)代化的機(jī)械加工來完成的,在加工過程中需要對產(chǎn)品隨時進(jìn)行檢測和監(jiān)控,以保證其正常的傳輸和運轉(zhuǎn)。其中,凡是能夠讓光線穿過后產(chǎn)生光線強(qiáng)度變化的物體都可以稱之為可透光物體,如半導(dǎo)體晶片。在半導(dǎo)體晶片的制作過程中,晶片需要從片艙傳遞到反應(yīng)腔室進(jìn)行工藝加工,加二工完畢后,再將晶片從反應(yīng)腔室傳遞回片艙,在這一過程中,由機(jī)械手負(fù)責(zé)對晶片進(jìn)行運輸和搬運,同時還要利用傳感器來監(jiān)測和檢查晶片的位置情況,以保證晶片在傳輸過程中的穩(wěn)定性和可靠性,現(xiàn)在普遍采用的檢測方法有以下兩種:
1)通過光電式鏡面反射傳感器來實現(xiàn),具體來說就是利用被測半導(dǎo)體晶片對于發(fā)射光線的遮擋來實現(xiàn)對其在位情況的判斷,如圖1所示。當(dāng)目標(biāo)位置沒有半導(dǎo)體晶片2時,光電式鏡面反射傳感器3的反射光線不被遮擋,通過反射鏡4返回光電式鏡面反射傳感器3;而當(dāng)有半導(dǎo)體晶片2存在時,發(fā)射光線被半導(dǎo)體晶片2遮擋,不能夠被反射回光電式鏡面反射傳感器3。從而就能夠通過光電式鏡面反射傳感器3是否有光線返回來判斷是否有半導(dǎo)體晶片存在。
2)通過光電式對射傳感器實現(xiàn)的,具體來說是利用被測半導(dǎo)體晶片對于發(fā)射光線的遮擋來實現(xiàn)對其在位情況的判斷,如圖2所示。當(dāng)目標(biāo)位置沒有半導(dǎo)體晶片2時,光電式對射傳感器6的發(fā)射光線不被遮擋,通過發(fā)射光線可順利到達(dá)接收端5;而當(dāng)有半導(dǎo)體晶片2存在時,發(fā)射光線被半導(dǎo)體晶片2遮擋,沒有光線到達(dá)接收端5。從而通過接收端5是否有光線到達(dá)來判斷是否有半導(dǎo)體晶片存在。
其他的可透光物體的在位檢測方法,基本上都是通過以上兩種方案來實現(xiàn)的。以上兩種方法雖然能夠檢測可透光物體的在位情況,但當(dāng)有多個可透光物體在與發(fā)射光線重疊放置時,發(fā)射光線只是被一個可透光物體所遮擋,而其他的可透光物體則不能夠判斷出有沒有遮擋光線,這樣就不能夠檢測出多個可透光物體的在位情況,而且以上方法只能檢測可透光物體是否存在,當(dāng)可透光物體位置傾斜時,以上方法就不能檢測。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠檢測一個或多個可透光物體重疊放置時位置情況的方法和裝置。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種可透光物體的在位檢測方法,具體為:
A、檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標(biāo)位置后的光線強(qiáng)度的變化值;
B、根據(jù)所述的光線強(qiáng)度的變化值判斷可透光物體在目標(biāo)位置的位置狀態(tài)。
所述的步驟A具體包括:
A1、檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標(biāo)位置后的光線強(qiáng)度,再與入射光線的初始光線強(qiáng)度比較,得出所述光線強(qiáng)度的變化值;或者,
A2、在沒有向目標(biāo)位置放置可透光物體前,檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標(biāo)位置后的光線強(qiáng)度H;在向目標(biāo)位置放置可透光物體后檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標(biāo)位置后的光線強(qiáng)度h,得到二者的差值H-h,則H-h為所述光線強(qiáng)度的變化值。
所述的入射光線可以是可見光或非可見光。
所述的步驟B具體包括:
B1、比較所述光線強(qiáng)度的變化值與入射光線穿過在目標(biāo)位置的可透光物體之后應(yīng)有的光線強(qiáng)度變化預(yù)定值;若所述光線強(qiáng)度的變化值與光線強(qiáng)度變化預(yù)定值相同,則確認(rèn)可透光物體的位置狀態(tài)正常;否則,確認(rèn)可透光物體的位置狀態(tài)不正常。
所述的步驟B1進(jìn)一步包括:
B11、如所述光線強(qiáng)度的變化值為零,則確認(rèn)可透光物體未處于目標(biāo)位置。
在所述步驟B之前還包括:
設(shè)定光線強(qiáng)度變化預(yù)定值,對入射光線穿過在目標(biāo)位置的可透光物體之后應(yīng)有的光線強(qiáng)度變化值進(jìn)行預(yù)先設(shè)定。
本發(fā)明還提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)上述可透光物體檢測方法的檢測裝置,具體為:
一種可透光物體的在位檢測裝置,包括:
光線發(fā)射單元,用于發(fā)出入射光線,射向當(dāng)前可透光物體所在的目標(biāo)位置;
光線接收處理單元,用于將檢測到的光線強(qiáng)度值進(jìn)行處理后,判斷可透光物體在目標(biāo)位置的位置狀態(tài)。
所述的光線接收處理單元具體包括:
光線接收檢測單元,用于接收穿過可透光物體所在的目標(biāo)位置后的入射光線,并檢測所接收光線的光線強(qiáng)度;
數(shù)據(jù)處理單元,根據(jù)所述的光線強(qiáng)度的變化值判斷可透光物體在目標(biāo)位置的位置狀態(tài),并在位置狀態(tài)不正常時發(fā)出報警指令。
上述在位檢測裝置還包括:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





