[發明專利]一種可透光物體的在位檢測方法及檢測裝置無效
| 申請號: | 200610165053.4 | 申請日: | 2006-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN101202237A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 張之山 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01V8/10;G01B11/00;G01B11/26 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭立明;郭宗勝 |
| 地址: | 100016北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 透光 物體 在位 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種可透光物體的在位檢測方法,其特征在于:
A、檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標位置后的光線強度的變化值;
B、根據所述的光線強度的變化值判斷可透光物體在目標位置的位置狀態。
2.如權利要求1所述的可透光物體的在位檢測方法,其特征在于,所述的步驟A具體包括:
A1、檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標位置后的光線強度,再與入射光線的初始光線強度比較,得出所述光線強度的變化值;或者,
A2、在沒有向目標位置放置可透光物體前,檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標位置后的光線強度H;在向目標位置放置可透光物體后檢測入射光線穿過可透光物體所在的目標位置后的光線強度h,得到二者的差值H-h,則H-h為所述光線強度的變化值。
3.如權利要求1或2所述的可透光物體的在位檢測方法,其特征在于,所述的入射光線可以是可見光或非可見光。
4.如權利要求1所述的可透光物體的在位檢測方法,其特征在于,所述的步驟B具體包括:
B1、比較所述光線強度的變化值與入射光線穿過在目標位置的可透光物體之后應有的光線強度變化預定值;若所述光線強度的變化值與光線強度變化預定值相同,則確認可透光物體的位置狀態正常;否則,確認可透光物體的位置狀態不正常。
5.如權利要求4所述的可透光物體的在位檢測方法,其特征在于,所述的步驟B1進一步包括:
B11、如所述光線強度的變化值為零,則確認可透光物體未處于目標位置。
6.如權利要求1所述的可透光物體的在位檢測方法,其特征在于,所述步驟B之前還包括:
設定光線強度變化預定值,對入射光線穿過在目標位置的可透光物體之后應有的光線強度變化值進行預先設定。
7.一種可透光物體的在位檢測裝置,其特征在于,包括:
光線發射單元,用于發出入射光線,射向當前可透光物體所在的目標位置;
光線接收處理單元,用于將檢測到的光線強度值進行處理后,判斷可透光物體在目標位置的位置狀態。
8.如權利要求7所述的在位檢測裝置,其特征在于,所述的光線接收處理單元具體包括:
光線接收檢測單元,用于接收穿過可透光物體所在的目標位置后的入射光線,并檢測所接收光線的光線強度;
數據處理單元,根據所述的光線強度的變化值判斷可透光物體在目標位置的位置狀態,并在位置狀態不正常時發出報警指令。
9.如權利要求7所述的在位檢測裝置,其特征在于,還包括:
參數設定單元,用于對入射光線穿過在目標位置的可透光物體之后應有的光線強度變化預定值進行設定;和/或,
報警裝置,在收到數據處理單元的報警指令時,產生報警。
10.如權利要求8所述的在位檢測裝置,其特征在于,所述的光線發射單元與光線接收檢測單元是光纖式對射傳感器。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





