[發(fā)明專利]一種磁性材料邏輯電路及制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610165037.5 | 申請(qǐng)日: | 2006-12-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101202543A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顧長志;徐鵬;夏柯;楊海方;李俊杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H03K19/00 | 分類號(hào): | H03K19/00 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
| 地址: | 100080北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁性材料 邏輯電路 制作方法 | ||
1.一種磁性材料邏輯電路,包括一帶有絕緣層的襯底,在襯底上沉積磁性金屬層,在磁性金屬層上刻蝕出電路布線、輸入輸出信號(hào)的電極及引入工作電壓的電極;其特征在于,還包括在電路布線中設(shè)置磁性金屬納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)和與之串聯(lián)的參考電阻,所述的參考電阻為金屬納米線,并且磁性金屬納米點(diǎn)與金屬納米線串聯(lián)之后,聯(lián)入恒壓電源兩端,由電源、磁性金屬納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)和金屬納米線形成一個(gè)環(huán)路;參考電阻的大小與磁性金屬納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)的低電阻態(tài)的電阻大小相同,金屬納米線的長度l和線寬d符合以下的公式:R=ρl/td;其中
ρ是所用磁性金屬的電阻率,t是沉積金屬薄膜的厚度,
R是磁性金屬納米點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)在低電阻態(tài)時(shí)的電阻值。
2.按權(quán)利要求1所述的磁性材料邏輯電路,其特征在于,所述的磁性金屬膜層為鐵磁金屬或合金,或者是反鐵磁金屬或合金,所述的磁性金屬膜層厚度為幾十到幾百納米。
3.按權(quán)利要求2所述的磁性材料邏輯電路,其特征在于,所述的鐵磁金屬或合金包括鎳、鐵、鈷、坡墨合金或因瓦合金。
4.按權(quán)利要求2所述的磁性材料邏輯電路,其特征在于,所述的反鐵磁金屬為錳;
所述的反鐵磁金屬為鐵錳合金Fe100-xMnx:30<x<100、鉻錳合金Cr100-xMnx:30<x<100或銅錳合金Cu100-xMnx:30<x<100;
所述的反鐵磁金屬為過渡金屬釔、鑭或合金。
5.一種磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,包括以下步驟:
1)選擇襯底和清洗:襯底可選用二氧化硅、氮化硅、金剛石、云母、玻璃、石英或SOI基片,或者表面有絕緣材料層,襯底的平整度至少達(dá)到2微米,粗糙度在納米量級(jí);其中襯底的厚度約為0.5毫米~2毫米;采用超聲清洗干凈;
2)磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路圖形設(shè)計(jì):圖形設(shè)計(jì)采用圖形編輯軟件,如GDSII或L-edit等圖形設(shè)計(jì)軟件完成,根據(jù)磁性金屬的種類和納米電路的邏輯功能設(shè)計(jì)電路圖形,設(shè)計(jì)好的電路圖形存入電子束曝光機(jī)內(nèi)或聚焦離子束直寫系統(tǒng)內(nèi);
3)采用常規(guī)半導(dǎo)體微加工工藝,在步驟1)的襯底旋涂一層電子束抗蝕劑,經(jīng)前烘,利用存入電子束曝光機(jī)或聚焦離子束直寫系統(tǒng)的電路圖形對(duì)襯底進(jìn)行曝光、顯影、定影、清洗和后烘,得到帶有電路圖形的樣品;
4)然后在步驟3)制得的帶有電路圖形的樣品上,進(jìn)行制備磁性金屬電路用的磁性金屬膜,所制備磁性金屬膜厚度為10-50納米;
5)將鍍膜后的樣品在丙酮溶液中浸泡10分鐘左右,輔以超聲清洗,將未曝光區(qū)域的金屬層隨電子束抗蝕劑層一起去除,獲得磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯門電路。
6.按權(quán)利要求5所述的磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,其特征在于,所述的襯底的清洗采用丙酮、酒精和二次去離子水三步超聲清洗,每步各3~5分鐘,然后用干燥氮?dú)獯蹈伞?/p>
7.按權(quán)利要求5所述的磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,其特征在于,所述的制備磁性金屬電路用的磁性金屬膜方法,包括磁控濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)等普通金屬鍍膜工藝。
8.按權(quán)利要求5所述的磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,其特征在于,所述的磁性金屬膜層為鐵磁金屬或合金,或者是反鐵磁金屬或合金,所述的磁性金屬膜層厚度為幾十到幾百納米。
9.按權(quán)利要求5所述的磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,其特征在于,所述的鐵磁金屬或合金包括鎳、鐵、鈷、坡墨合金或因瓦合金。
10.按權(quán)利要求5所述的磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的邏輯電路的制作方法,其特征在于,所述的反鐵磁金屬為錳;
所述的反鐵磁金屬為鐵錳合金Fe100-xMnx:30<x<100、鉻錳合金Cr100-xMnx:30<x<100或銅錳合金Cu100-xMnx:30<x<100;
所述的反鐵磁金屬為過渡金屬釔、鑭或合金。
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